10N65-ASEMI高压场效应MOS管10N65

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10N65-ASEMI高压场效应MOS管10N65

型号：10N65

品牌：ASEMI

封装：TO-220

最大漏源电流：10A

漏源击穿电压：650V

RDS（ON）Max：0.9Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：5ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：高压MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

10N65场效应管

10N65的电性参数：最大漏源电流10A；漏源击穿电压650V

特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=650V，Id=10A

RDS（开）:0.9Ω （最大值）@VG=10V