MBR10200FCT-ASEMI低压降肖特基二极管

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MBR10200FCT-ASEMI低压降肖特基二极管

型号：MBR10200FCT

品牌：ASEMI

封装：TO-220F

特性：插件肖特基二极管

正向电流：10A

反向耐压：200V

恢复时间：5ns

引脚数量：3

芯片个数：2

芯片尺寸：86MIL

浪涌电流：150A

漏电流：10ua

工作温度：-40℃~170℃

包装方式：5000/盘；50000/箱

备受欢迎的MBR10200FCT-ASEMI肖特基二极管

ASEMI品牌MBR10200FCT是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了MBR10200FCT的漏源电流10A，漏源击穿电压200V.

•细节体现差距

MBR10200FCT，ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

MBR10200FCT具体参数为：正向电流：10A，反向耐压：200V，反向恢复时间： 5ns，封装：TO-220F