10 2018 档案
摘要:教材内容总结 (1) 随机访问存储器分为两类(RAM):静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)(SRAM:将位存储在一个双稳态的存储器单位里。DRAM:将位存储为对一个电容的充电。) (2)SRAM应用在高速缓存存储器,DRAM应用在主存帧缓冲区。 (3)DRAM被分为d个超单元,一个超单元
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摘要:详见: http://www.cnblogs.com/20165336kzq/p/9826489.html
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摘要:实验简介: 缓冲区溢出攻击:通过往程序的缓冲区写超出其长度的内容,造成缓冲区的溢出,从而破坏程序的堆栈,造成程序崩溃或使程序转而执行其它指令,以达到攻击的目的。 实验原理: 一般情况下,缓冲区溢出会造成程序崩溃,在程序中,溢出的数据覆盖了返回地址。而如果覆盖返回地址的数据是另一个地址,那么程序就会跳
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