摘要：uboot 环境变量实现简析----------基于u-boot-2010.03 u-boot的环境变量是使用u-boot的关键，它可以由你自己定义的，但是其中有一些也是大家经常使用，约定熟成的，有一些是u-boot自己定义的，更改这些名字会出现错误，下面的表中我们列出了一些常用的环境变量：bootdelay 执行自动启动的等候秒数 baudrate 串口控制台的波特率 netmask 以太网接口的掩码 ethaddr 以太网卡的网卡物理地址 bootfile 缺省的下载文件 bootargs 传递给内核的启动参数 bootcmd 自动启动时执行的命令 serverip 服务器端的ip地址 .
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10 2011 档案
摘要：typedef是用来声明自定义数据类型，配合各种原有数据类型来达到简化编程的目的的类型定义关键字.用typedef定义类型的方法① 先按定义变量的方法写出定义体(如：int i)。② 将变量名换成新类型名(例如：将i换成COUNT)。③ 在最前面加typedef.(例如：typedef int COUNT)。④ 然后可以用新类型名去定义变量。说明：(1)用typedef可以声明各种类型名，但不能用来定义变量。(2) 用typedef只是对已经存在的类型增加一个类型名，而没有创造新的类型。 (3) 当不同源文件中用到同一类型数据时，常用typedef声明一些数据类型，把它们单独放在一个文件中，然
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摘要：uboot 命令解析流程简析 uboot正常启动后，会调用main_loop(void)函数，进入main_loop()之后，如果在规定的时间（CONFIG_BOOTDELAY）内，没有检查到任何按键事件的发生，就会去加载OS，并启动系统，比如把linux内核压缩镜像从nand flash中读到sdram ，然后执行它。 如果在CONFIG_BOOTDELAY时间内，用户按下键盘上的任意一个按键，uboot就会进入与用户交互的状态。如果用户在配置文件中定义了CONFIG_SYS_HUSH_PARSER，就会通过parse_file_outer()，去接收并解析用户命令，否则进入一个for（;.
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摘要：U-Boot启动内核的过程可以分为两个阶段，两个阶段的功能如下：（1）第一阶段的功能Ø硬件设备初始化Ø加载U-Boot第二阶段代码到RAM空间Ø设置好栈Ø跳转到第二阶段代码入口（2）第二阶段的功能Ø初始化本阶段使用的硬件设备Ø检测系统内存映射Ø将内核从Flash读取到RAM中Ø为内核设置启动参数Ø调用内核1.1.1U-Boot启动第一阶段代码分析 第一阶段对应的文件是cpu/arm920t/start.S和board/samsung/mini2440/lowlevel_init.S。U-Boot启动第一阶
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摘要：gd_t和bd_t是u-boot中两个重要的数据结构，在初始化操作很多都要靠这两个数据结构来保存或传递.分别定义在./include/asm/global_data.h和./include/asm/u_boot.h1. gd_t : global data数据结构定义，位于文件 include/asm-arm/global_data.h。其成员主要是一些全局的系统初始化参数。需要用到时用宏定义:DECLARE_GLOBAL_DATA_PTR，指定占用寄存器R8。/** The following data structure is placed in some memory wich is*
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摘要：1. 引言在专用的嵌入式板子运行 GNU/Linux 系统已经变得越来越流行。一个嵌入式 Linux 系统从软件的角度看通常可以分为四个层次： 1. 引导加载程序。包括固化在固件(firmware)中的 boot 代码(可选)，和 Boot Loader 两大部分。2. Linux 内核。特定于嵌入式板子的定制内核以及内核的启动参数。 3. 文件系统。包括根文件系统和建立于 Flash 内存设备之上文件系统。通常用 ram disk 来作为 root fs。4. 用户应用程序。特定于用户的应用程序。有时在用户应用程序和内核层之间可能还会包括一个嵌入式图形用户界面。常用的嵌入式 GUI 有：Mi
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摘要：看了arm汇编语言语法一个多月了。总算入门了。当然还有很多东西值得继续努力推敲滴。最近对LDR与LTORG有了一些新的认识。LDR是一个比较复制的指令。作用是从存储器到寄存器的单一数据读取指令。它有19条指令格式。其中有两条格式为宏指令（macro），格式如下：1,LDR<cond><type>Rd,<label>2,LDR<cond> Rd,=<32-bit-value>这里重点分析下第二条宏指令。它会被编译器编译成一条指令，把给定的32位数值保存到寄存器Rd.通常这掉指令是LDR<cond>Rd,[pc,#<of
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摘要：哈尔滨理工大学软件工程专业08-7李万鹏原创作品，转载请标明出处http://blog.csdn.net/woshixingaaa/archive/2010/12/14/6075190.aspx我板子的SDRAM是64M，从0x30000000~0x33ffffff，被BANK6选中。//64MB // 0x30000000 ~ 0x30ffffff : Download Area (16MB) Cacheable // 0x31000000 ~ 0x33feffff : Non-Cacheable Area // 0x33ff0000 ~ 0x33ff47ff : Heap & RW
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摘要：用友善之臂的板子已经有一段时间了.对于存储系统和I/O空间的认识也渐渐淡忘了,原因是在做其他开发时,一直用着自带的启动代码,从不关心板子的储存空间配置.最近在做网卡驱动,突然间就不知道网卡的地址是什么了,于是花点时间总结一下.废话少说.开始吧.1,板上的存储资源两个32M的SDRAM.一个2M的NOR FLASH一个128M(有些是64M)的NAND FLASH以上这些资源看原理图便知.2,板上的I/O资源 这块板子上(准确的说是S3C2440)的I/O空间是用存储映射的方法映射到存储空间上的,也就说I/O空间是要占用存储空间的.3,各种存储器的区别与各自的用途 为什么这块板子上有那么多存储设
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摘要：几天前一个学生问我ARM中断嵌套的问题，我才发现原在我心中理所当然的事对学生来说理解实属不易。 ARM有七种模式，我们这里只讨论SVC、IRQ和FIQ模式。 我们可以假设ARM核心有两根中断引脚（实际上是看不见的），一根叫 irq pin, 一根叫fiq pin. 在ARM的cpsr中，有一个I位和一个F位，分别用来禁止IRQ和FIQ的。 先不说中断控制器，只说ARM核心。正常情况下，ARM核都只是机械地随着pc的指示去做事情，当CPSR中的I和F位为1的时候，IRQ和FIQ全部处 于禁止状态。无论你在irq pin和fiq pin上面发什么样的中断信号，ARM是不会理你的，你根本不能打断他，
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摘要：4.2汇编语言的语句格式ARM（Thumb）汇编语言的语句格式为： {标号} {指令或伪指令} {；注释} 在汇编语言程序设计中，每一条指令的助记符可以全部用大写、或全部用小写，但不用许在一条指令中大、小写混用。同时，如果一条语句太长，可将该长语句分为若干行来书写，在行的末尾用“/”表示下一行与本行为同一条语句。4.2.1在汇编语言程序中常用的符号 在汇编语言程序设计中，经常使用各种符号代替地址、变量和常量等，以增加程序的可读性。尽管符号的命名由编程者决定，但并不是任意的，必须遵循以下的约定：- 符号区分大小写，同名的大、小写符号会被编译器认为是两个不同的符号。- 符号在其作用范围内必须唯一。
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摘要：ARM编译器一般都支持汇编语言的程序设计和C/C++语言的程序设计，以及两者的混合编程。本章介绍ARM程序设计的一些基本概念，如ARM汇编语言的伪指令、汇编语言的语句格式和汇编语言的程序结构等，同时介绍C/C＋＋和汇编语言的混合编程等问题。本章的主要内容： － ARM编译器所支持的伪指令 － 汇编语言的语句格式 － 汇编语言的程序结构 － 相关的程序示例 4.1ARM汇编器所支持的伪指令 在ARM汇编语言程序里，有一些特殊指令助记符，这些助记符与指令系统的助记符不同，没有相对应的操作码，通常称这些特殊指令助记符为伪指令，他们所完成的操作称为伪操作。伪指令在源程序中的作用是为完成汇编程序作各种准
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摘要：ldr r0, _startadr r0, _startldr r0, =_startnopmov pc, lr _start:nop编译的时候设置 RO 为 0x0c008000↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓0c008000 <_start-0x14>:c008000: e59f000cldr r0, [pc, #12] ; c008014 <_start>c008004: e28f0008add r0, pc, #8; 0x8c008008: e59f0008ldr r0, [pc, #8]; c008018 <
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摘要：摘要 以三星公司K9F2808UOB为例，设计了NAND Flash与S3C2410的接口电路,介绍了NAND Flash在ARM嵌入式系统中的设计与实现方法,并在UBoot上进行了验证。所设计的驱动易于移植，可简化嵌入式系统开发。 引言 当前各类嵌入式系统开发设计中，存储模块设计是不可或缺的重要方面。NOR和 NAND是目前市场上两种主要的非易失闪存技术。NOR Flash存储器的容量较小、写入速度较慢，但因其随机读取速度快，因此在嵌入式系统中，常用于程序代码的存储。与NOR相比,NAND闪存的优点是容量大,但其速度较慢,因为它的I/O端口只有8或16个,要完成地址和数据的传输就必须让这..
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摘要：作者：刘洪涛，华清远见嵌入式学院高级讲师。一、结构分析 S3C2410处理器集成了8位NandFlash控制器。目前市场上常见的8位NandFlash有三星公司的k9f1208、k9f1g08、k9f2g08等。k9f1208、k9f1g08、k9f2g08的数据页大小分别为512Byte、2kByte、2kByte。它们在寻址方式上有一定差异，所以程序代码并不通用。本文以S3C2410处理器和k9f1208系统为例，讲述NandFlash的读写方法。NandFlash的数据是以bit 的方式保存在memory cell里的，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit，这些cell 以8 个
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