超导射频腔的行为方式第 2 部分
超导射频腔的行为方式第 2 部分
1. 用于超导射频腔的铌表面超导性（ arXiv )
作者 ： S.Casalbuoni , E.-A。男生 , J·科茨勒 , L.莉莉 , L·冯·萨维尔斯基 , P. 施穆瑟 , B.史蒂芬
抽象的 ： 对用于制造线性对撞机项目 TESLA 的九单元 1.3 GHz 腔体的超纯铌的超导 (sc) 参数进行了系统研究。圆柱形铌样品经过与 TESLA 腔体相同的表面处理：缓冲化学抛光 (BCP)、电解抛光 (EP)、低温烘烤 (LTB)。磁化曲线和复磁化率已经在很宽的温度和直流磁场范围内进行了测量，并且还针对所施加的交流磁场的不同频率进行了测量。发现临界温度 Tc = 9.26 K 和上临界场 Bc2(0) = 410 mT 等体积超导参数与先前的数据非常吻合。在所有样品中都发现了 Bc2 以上磁场的表面超导性证据。在 BCP 处理的样品中，临界表面场超过 Ginzburg-Landau 场 Bc3 = 1.695Bc2 约 10%，如果应用 EP 或 LTB，则甚至会进一步增加。从磁化率的场依赖性和复杂交流电导率和电阻率的幂律分析可以确定表面超导的两个不同相的存在，它们类似于体中的迈斯纳和阿布里科索夫相：（1）相干表面超导，允许 sc 屏蔽电流在整个圆柱形样品周围流动，外部场 B 在 Bc2 和 Bcohc3 之间的范围内，以及 (2) 在 Bcohc3 和 Bc3 之间具有断开的 sc 域的非相干表面超导性。对于所有样品，发现分离两相的相干临界表面场为 Bcoh c3 = 0.81Bc3。 BCP 和 EP 样本的幂律分析中的指数不同，指向不同的表面拓扑。
2. CEBAF 超导射频腔中的场发射及其对未来加速器的影响 (arXiv)
作者 ： 杰伊·贝内施
抽象的 ： 场发射是粒子加速器超导射频的关键问题之一。当存在时，它直接或通过 2K 的感应热负荷限制工作梯度。为了最大限度地减少组装过程中 CEBAF SRF 腔中的微粒污染和场发射，将冷陶瓷 RF 窗口放置在非常靠近加速腔的位置。一个意想不到的结果是，窗口被场发射电子充电，使得自隧道内操作开始以来监测和模拟 CEBAF 腔中的场发射成为可能。从 1995 年 1 月 30 日到 2003 年 2 月 10 日，有 64 次自发发生或腔场发射变化，每个事件的可用梯度平均下降 1.4 (sigma 0.8) MV/m。分数损失平均为事件前梯度的 0.18 (sigma 0.12)。该事件计数对应于每个腔每世纪 2.4 次事件，或 CEBAF 中每年 8 次。据推测，场发射的变化是由于吸附气体的积累。将讨论这一观测和其他观测对国际直线对撞机 (ILC) 和其他未来加速器的可能影响
3.未来加速器的超导射频腔研发（ arXiv)
作者 ： 厘米金斯伯格
抽象的 ： 正在为几个加速器项目开发高 β 超导射频 (SRF) 椭圆腔，包括 Project X、欧洲 XFEL 和国际直线对撞机 (ILC)。费米实验室最近为未来加速器的 SRF 腔研发建立了广泛的基础设施，包括腔表面处理和测试以及腔组装成低温模块。回顾了全球 SRF 研发努力提高腔性能的一些亮点，以及在全球项目背景下的费米实验室 SRF 腔研发
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