摘要： 一、典型电路 1、电路1 说明： GND-IN 为电源接口的负极 GND 为内部电路的公共地 原理分析 正向接： VCC-IN通过R1、R2、MOS体二极管，最后回到GND-IN;然后GS电压升高，紧接着SD沟道形成；沟道电阻很小，将MOS体二极管短路。 反向接：MOS体二极管截至 2、电路2 说明 阅读全文

摘要： 这里有两种解释： 1、mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。 2、防止管子的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感 阅读全文