一、典型电路
1、电路1
说明：
GND-IN 为电源接口的负极
GND 为内部电路的公共地
原理分析
正向接：
VCC-IN通过R1、R2、MOS体二极管，最后回到GND-IN;然后GS电压升高，紧接着SD沟道形成；沟道电阻很小，将MOS体二极管短路。
反向接：MOS体二极管截至
2、电路2
说明：
GND-A-24V 为电源接口的负极
GND-A 为内部电路的公共地
原理分析
正向接：
VCC-IN通过R1、R2 ，最后回到GND-IN;然后GS电压升高，紧接着SD沟道形成，GND-A-24V便接在了GND-A上。
反向接：
虽然 MOS体二极管这时正向接，但是由于GND-A上端接的是我们的电路，电路的上端是VCC-A-24V-IN，所以还是无法通过；事实上GND-A-24V根本接不进我们的电路以形成回路。
二、优缺点
1、优点
由于正向接导通时，MOS管Ron很小，压降非常小，基本保证了GND和GND-IN等电位。
而串联二极管会有一定的压降。
2、缺点
电路复杂，价格也高。
