减小SSN影响
单板级SSN
从单板级来看，芯片中多个逻辑门同时翻转时，将从单板电源和地平面瞬间汲取较大的电流。任何电源分配系统都存在着阻抗，特别是感抗，导致在短时间内电压调整模块来不及供应这些电流，从而在单板和电源之间出现感应噪声，波及整个电源分配系统。
减小SSN的影响
SSN这种现象的起因很多，有时候表现得令人难以捉摸，不过可以通过其产生的原理来减小它的影响。由于V=L*(dI/dt)，要减小前者，就需要减缓电流的瞬间变化幅度(dI/dt)，同时减小电流流过路径的电感L。
在设计FPGA时，要减小芯片级SSN，首先可以考虑如何减小硅片到PCB地的连接电感L。
1、 用剩余的IO做可编程VCC/GND，增加电源和地的连接点，可以有效的减小电感。建议把可编程VCC和GND放在同步翻转输出(SSO)管脚的附近。
2、 把同步翻转输出(SSO)尽量散布开。由于在FPGA中，一对电源地线通常支持部分IO，可以把SSO管脚尽量分散开，最好是分布到不同的IO bank中。
3、 把SSO尽量靠近VCC/GND对同样可以有效的减小电流回路电感。
4、 在器件选择时，尽量考虑Flip-chip(倒装)的封装。它比wire-bond(打金线)的器件具有更短的连线，而且有更好的参考面和更小的感抗值，如下图，左边为wire-bond，右边为flip-chip。也可以通过减小dI/dt来减小SSN。
wire_bond 和flip-chip的封装
5、 在FPGA内部的一些IO标准中，用户可以自己设置输出的电流强度。把输出的电流设置的越小，dI/dt也就越小，但同时会降低IO性能。
6、 用户可以把翻转率(slewrate)设置为慢速(slow)方式，这样可以显著减小dV/dt，因此也可以减小dI/dt，如下图：
快速和慢速翻转速率波形效果
7、 减小SSO的数量是最直接的减小SSN的方法。
8、 用户可以通过一些方法，使得SSO在不同的时间翻转来减小同一时间所消耗的电流。例如用户可以利用PLL分出相位略有差异的不同的时钟域，分别驱动部分SSO。当然，这样做需要在保证系统时序的前提之下。
9、 如果用户使用 加源端串阻的IO标准，使得输出电流或信号输出幅度减小，同样可以达到减小dI/dt的目的。
如果需要减小SSN在PCB上的影响，用户需要在SSN的起源处加去耦电容，也就是在VCC/GND管脚处加容值较小的去耦电容。它相当于一个临时的蓄水池，将满足SSO需要的瞬态电流。
在PCB上加去耦电容需要注意把电容尽量放置在靠近VCC/GND对的地方，同时电容的PCB引线尽量短，以减小电流环路的面积，也就是减小环路阻抗，如下图：
去耦电容形成的电流环路
在单板上增加去耦电容，也是为了使电源系统对同步翻转噪声呈现低阻抗，这样SSN就不会给电源系统带来较大的波动，这也是电源分配系统的设计者所追求的目标。
版权所有权归卿萃科技 杭州FPGA事业部，转载请注明出处
作者：杭州卿萃科技ALIFPGA
原文地址：杭州卿萃科技FPGA极客空间 微信公众号
扫描二维码关注杭州卿萃科技FPGA极客空间
