RISC-V MCU 电源系统概述

1. 电源结构

CH32V307供电结构如下图所示：

• 通常CH32V307工作电压V_DD的范围为2.4V~3.6V，当使用ETH或USB时，工作电压V_DD的范围为 3.0V~3.6V
• 内置电压调节器提供内核所需的1.5V电源。
• V_DDA和V_SSA为模拟部分供电

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为了提高AD等模拟部分的精度，可以使用独立的电源为V_DDA和V_SSA供电。

• CH32V307VCT6 LQFP100封装的V_REF+ 和V_REF- 引脚引出，用户可连接一个独立的参考电压用于ADC测量，参考电压范围：2.4V ≤ V_REF+  ≤ V_DDA。
• 其他封装的CH32V307的V_REF+ 和V_REF- 引脚未引出，在芯片内部与V_DDA和V_SSA相连。

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• V_BAT为后备电源引脚，当V_DD断电时，掉电复位功能会自动切换V_BAT为后备供电区域供电，用于维持RTC以及后备寄存器的内容。
• 当切换到V_BAT供电时：
• PC14和PC15只能用作LSE引脚
• PC13可以作为TAMPER侵入检测引脚、RTC闹钟或秒输出
• 当V_DD恢复供电稳定后，系统自动切换开关，后备区由V_DD供电，此时PC13~PC15可以做为GPIO。因为模拟开关只能通过少量的电流，当用在输出时，速度必须限制在2MHz以下，最大负载电容为30pF，并且禁止用在持续输出和吸收电流的场合，比如LED驱动。

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• 如果没有使用外部电池为V_BAT供电，V_BAT引脚必须连接到V_DD引脚上
• 电池到V_BAT的连线要尽可能的短
• 在主电源V_DD恢复供电过程中，内部V_BAT电源仍然通过对应的V_BAT引脚连在外部备用电源上，若 V_DD在小于复位滞后时间 t_RSTTEMPO内就达到稳定，并且高于 V_BAT的值 0.6V 以上，则有可能存在较短瞬间，电流通过 V_DD与 V_BAT之间的二极管灌入 V_BAT，进而通过 V_BAT引脚注入电池等后备电源，如果后备电源无法承受这样瞬时注入电流，建议在后备电源和V_BAT引脚之间加一只正向导通低压降二极管。

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2. 电源管理

2.1 上电复位和掉电复位

系统内部集成了上电复位POR 和掉电复位PDR 电路。

当芯片供电电压VDD 和VDDA 低于对应门限电压时，系统被相关电路复位，无需外置额外的复位电路。

上电门限电压 VPOR 和掉电门限电压 VPDR 的参数请参考对应的数据手册。

2.2 可编程电压监测器（PVD）

可编程电压监测器 PVD，主要被用于监控系统主电源的变化，与电源控制寄存器 PWR_CTLR 的PLS[2:0]所设置的门槛电压相比较，配合外部中断寄存器（EXTI）设置，可产生相关中断，以便及时通知系统进行数据保存等掉电前操作。

PVD详细配置参考。

3. 低功耗模式

微控制器目前提供了3 种低功耗模式，从处理器、外设、电压调节器等的工作差异上分为：

• 睡眠模式 ：内核停止运行，所有外设（包含内核私有外设）仍在运行
• 停止模式 ：停止所有时钟，唤醒后系统继续运行。
• 待机模式 ：停止所有时钟，唤醒后系统复位（电源复位）。

低功耗模式一览：

低功耗模式	进入方式	唤醒源	对时钟的影响	电压调节器
睡眠	WFI WFE	WFI：任意中断唤醒WFE：唤醒事件唤醒	内核时钟关闭，其他时钟无影响	正常
停止	1) SLEEPDEEP置1 2) PDDS清0 3) WFI或WFE	任一外部中断/事件（在外部中断寄存器中设置）WKUP引脚上升沿	关闭HSE、HSI、PLL和外设时钟	正常：LPDS=0 低功耗：LPDS=1
待机	1) SLEEPDEEP置1 2) PDDS置1 3) WFI或WFE	WKUP引脚上升沿RTC闹钟事件NRST引脚复位IWDG复位注：任意外部中断/事件也可以唤醒系统，但唤醒后系统不复位	关闭HSE、HSI、PLL和外设时钟	正常：LPDS=0 低功耗：LPDS=1