摘要：
1、放大的概念 a/ 放大，从特征上来说是功率放大的一个过程； b/ 本质上是对能量的控制； c/ 控制能量的元件称为有源元件，如BJT，FET； d/ 放大的前提是不失真，一般用正弦波作为测试信号； 2、如何构架基本放大电路 a/ 目标：小功率信号 ———>大功率信号 b/ 条件：1、元件 2、电 阅读全文
摘要：
FET的特性与参数 1、特性 通过前文的学习，几类FET的特性都可以很容易的分析出来，首先做一个分类， N型和P型，二者最显著的特征就是沟道载流子不同导致的控制端的需要的电压方向不同，故N型的两特性曲线分布在x轴上方，P型则相反（y轴参考方向为电流由漏极d流向源极s，即自由电子由源极s流向漏极d；空 阅读全文
摘要：
0、引言： 过去一直用Pycharm写OpenCV，配置时只需要在project interpreter添加package就行了，方便固然是不错，但作为Python语言迁移到单片机多少有点麻烦，索性在学了一段以后转学用C++编写，实际上在有了Python编写过的基础转过来也是非常容易的；本文主要作为 阅读全文
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2、原理分析 假期已接近尾声，再不完成对此套件的学习分析，恐怕会拖延更久；今天下午花了点时间看完了店家的原理分析，颇有收获，结合个人的理解撰下文 框架RTL(?)： 指令列表： 阅读全文
摘要：
场效应管(单极型晶体管)——FET(Feild Effect Transistor) 0、优势 仅依靠多数载流子导电，体积小、重量轻、寿命长，输入电阻高，热稳定性强、耗电小 1、结型场效应管 (JFET——Junction FET) JFET结构如图，简化后的示意图基本上等价于下图所示，在一块N型上 阅读全文
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null 阅读全文
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Bipolar Junction Transistor共射特性曲线 1、输入特性 输入特性曲线描述管压降（管压降：集电极与发射极间电压）uCE一定时，基极电流iB与发射结压降uBE的关系，下图为不同uCE的曲线簇 在uCE为0~1V时图像随uCE增大渐渐右移，这是由于随着uCE的增大，未能通过基极的 阅读全文
摘要：
双极晶体管——BJT(Bipolar Junction Transistor) 1、结构 分为发射区(emission)，高掺杂浓度，基区(basic)，掺杂浓度较低，非常薄，集电区(collector)，面积大，掺杂浓度低；由此引出三个电极，发射极e，基极b，集电极c，两个PN节，发射极与基极形成 阅读全文