【模电学习】BJT共射特性曲线

Bipolar Junction Transistor共射特性曲线

1、输入特性

       输入特性曲线描述管压降（管压降：集电极与发射极间电压）u_CE一定时，基极电流i_B与发射结压降u_BE的关系，下图为不同u_CE的曲线簇

                        

                  

        在u_CE为0~1V时图像随u_CE增大渐渐右移，这是由于随着u_CE的增大，未能通过基极的非平衡少子（自由电子）会变少，要想再达到所要求的i_B，则需要更大的u_BE；当u_CE大于1V时，管压降达到一定值，这意味着集电结的处的吸引力足够大，使得最终所有电子都可以通过基极到达集电极

2、输出特性

        输出特性曲线描述基极电流i_B一定时，集电极电流i_C与管压降u_CE的关系

                     

 

               

     放大区：以i_B1曲线为例，当u_CE足够大，达到曲线呈平缓时，集电结出现了我们需要的反偏，发射结处于正偏，也就是i_C与i_B出现了放大关系，此时的晶体管处于放大区

    截止区：i_B  = 0时，仍然存在一微小电流i_CEO（穿透电流），晶体管相当于断路，双结反偏，类似于CE开关的断开

    饱和区：i_B与i_C不互相成比例，u_CE极小，集电结正偏；与此同时发射结正偏，双结正偏，类似于CE开关的闭合，此时的β*i_B大于外电路所规定的i_C的最大值——i_CMAX = i_C = (V_CC - u_CE) / R_C，此时的i_C = i_CMAX，不再随i_B改变

 

2021/2/22  18:22 

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