W25Q256JV简介

1 W25Q256JV 总体描述

W25Q256JV 256Mb 串行Flash存储,运行电压在2.7到3.6V电压之间,power-down 模式电流消耗低至1ua。

131,072 个可编写page,每个page大小256Byte,一次可擦写256Byte,page可以一个,16个(sector4KB),128个(32KB),256个(64KB),为一组擦除。也可以整片存储器擦除。

4KB大小的sector在数据储存中有着很大的灵活性。

支持标准SPI,双/四IO模式SPI

3.2引脚功能

标准SPI选IO0,IO1

/CS 片选

DO/IO1

data output
DO/IO2  
GND 接地
DI/IO0 data input
CLK 时钟
IO3  
VCC 电源
/RESET 重置

5 储存结构图示:

1Chip = 512Block , 1Block = 16 Sector , 1Sector = 16 Page , 1Page=256Byte

1page 256B    
1Sector 4096B 4KB  
1Block 65536B 64KB  
1Chip 33,554,432B 32764KB 32MB/256Mb

32位地址0x00000000

  Block Block Sector Page Byte
0x 00 00 0 0 00
Block0,Sector0,Page0尾地址 00 00 0 0 FF/255
Block0,Sector0,Page15首地址 00 00 0 F 00
Block0,Sector15,page0首地址 00 00 F 0 00
Block255,Sector0,Page0首地址 00 FF 0 0 00
Block511,Sector0,Page0首地址 01 FF 0 0 00
Block511,Sector15,Page15首地址 01 FF F F 00

Block511,Sector15,Page15

尾地址

W25Q256JV结束地址

01 FF F F FF

6.1.1 标准SPI模式

芯片通过四信号SPI兼容总线访问:CLK,/CS,DI,DO。使用DI输入引脚连续写入命令,地址,数据,CLK上升沿写入。使用DO输出引脚读数据或状态,下降沿读出。

SPI总线支持mode 0 和 mode 3,

6.1.4 3B/4B 地址模式

3Byte模式最大容量 = 0x 00 00 00 = 16MB = 128Mbit

4Byte模式最大容量 = 0x 00 00 00 00 =4GB = 32Gbit

W25Q256JV 支持两种地址模式

3Byte模式兼容之前的产品,仅支持128Mbit的数据,为了在3B模式访问更多数据,需要使用 Extended Address 寄存器。

4Byte模式支持访问256Mb到32Gb的数据,4B模式打开时,Extended Address 寄存器不必使用。

Non-Volatile Status Register Bit ADP 控制3B/4B模式,3B模式ADP=0,4B模式ADP=1。出厂默认ADP=0

3B/4B 模式切换命令:Enter 4-Byte Mode (B7h) / Exit 4-Byte Mode (E9h)

6.2 写保护

 Note that the chip select pin (/CS) must track the VCC supply level, a pull-up resistor on /CS pin can be used to accomplish this 。/CS引脚电压要参考VCC

上电后,芯片自动进入写失能状态,Status Register Write Enable Latch (WEL) 置0,编写前或擦除前必须写入 写使能 命令,写入或擦除完成时又会自动进入写失能状态。

芯片可以整个写保护或对单独的Block写保护

7 状态和配置寄存器

7.1Status Registers1 状态寄存器1

S7 S6 S5 S4 S3 S2 S1 S0
reserved TB BP3 BP2 BP1 BP0 WEL BUSY
 

Top/Bottom Block Protect

控制BP之上还是之下的block被保护

r/w

Block Protect 位

r

0表示芯片不能编写

 

r

1=芯片忙,正在写入或者擦除,会忽略其他指令

SR2

S15 14 13 12 11 10 9 8
SUS CMP LB3 LB2 LB1 / QE SRL
暂停状态位

Complement Protect

反转TB,BP状态

Security Register Lock Bits   Quad Enable

Status Register Protect/Lock

锁定SR,直到一次掉电上电后解锁

SR3

S23 22 21 20 19 18 17 16
/ DRV1 DRV0 / / WPS ADP ADS
  Output Driver Strength    

Write Protect Selection

0 = 使用CMP,TB,BP模式写保护

1=单独Block写保护

Power-Up Address Mode

表示上电后进入的地址模式

Current Address Mode

0表示3Byte地址

1表示4Byte地址

7.2Extended Address Register

EA7 6 5 4 3 2 1 0
/ / / / / / /

0:选择上128Mb

1:选择下128Mb

8 指令

指令在/CS下降沿开始,写入到第一个Byte数据被认为是指令

指令种类:

读取ID

 

NOTE:

2. 状态寄存器和设备ID会一直重复直到/CS结束指令

3,Page编写至少1Byte数据,至多256Byte数据输入,超过256B的数据从Page开头覆盖写入

 

8.2指令描述

8.2.1 Write Enable (06h)

WE命令 设置WEL位,每一次Page编写/擦写WEL位都必须置为1,

 

8.2.3 Write Disable (04h)

8.2.4 Read Status Register

驱动/CS低时,移入读SR命令,之后SR状态值会在CLK下降沿从DO移出,任何时候都可以读取状态寄存器,甚至在编写,擦写,SR周期,正在进行时。这样允许BUSY状态位被随时检测。

SR数据可以被一直读出。

8.2.5 Write Status Register

写入非易失寄存器时,先发送 Write Enable (06h)命令

写入易失寄存器时,先发送Write Enable for Volatile Status Register (50h) 命令

8.2.8 Enter 4-Byte Address Mode (B7h) 

8.2.10 Read Data (03h) 

读数据指令允许读一个或连续读多个数据,/CS拉低指令开始,发送完地址后,读出数据,数据地址会自动递增。

BUSY=1时,读数据命令会被忽略。无论3Byte或4Byte地址模式,此命令输入24位地址。

8.2.11 Read Data with 4-Byte Address (13h)

无论3Byte或4Byte地址模式,此命令输入32位地址。

8.2.23 Page Program (02h)

页编写命令允许在已经擦除的位置写入1Byte到256Byte的数据,接收页写入命令前需要发送写使能指令,/CS拉低驱动命令初始化,发送代码“02h”再加上地址,之后发送至少1Byte的数据,数据发送的整个长度内/CS一直保持低电平。

如果整个页 256Byte被编写完,地址的最后8位归零。如果最后8位不是零,时钟的数量超过了这页剩下空间的长度,地址会绕到页的开头。特定情况下,少于156Byte的编写不会影响这一页的其他字节,如果超过256字节被发送到存储器,地址会绕到页的开始,覆盖掉之前发送的字节。

对于写入和擦除命令,最后1Byte发送完成,/CS引脚必须拉高,否则编写指令不会执行。/CS拉高后,在tpp时间内,自动计时的页编写指令就会开始。当页编写过程中,BUSY位可以被读取。页编写过程中BUSY位为1,当编写完成可以接收其他指令时,BUSY位为0. 页编程完成后, 写使能 Write Enable Latch (WEL) 位被清除为0. 如果地址被锁保护,页编程指令无效。

 

 

8.2.27 Sector Erase (20h)

扇区擦除命令会将指定扇区擦写为FFh,使用扇区擦除命令前,必须发送写使能命令。/CS拉低并发送“20h”和地址,指令开始。指令发送完拉高/CS指令生效。擦除期间BUSY位为1,擦除完成后BUSY为0,才可以接收其他命令。擦除完成,写使能 Write Enable Latch (WEL) 位被清除为0. 如果地址被锁保护,擦除指令无效。

 

9.2 Operating Ranges

 

posted @ 2023-09-26 21:27  Yannnnnnn  阅读(1606)  评论(0编辑  收藏  举报