摘要:
在不使用外延层在同轴的半绝缘SIC衬底上制作4H-SIC横向双重注入金属氧化物半导体场效应晶体管。LDIMOSFET使用离子注入工艺从而形成电流通路层。共面波导作为栅极和漏极之间的漂移区。通过使用同轴半绝缘衬底和最优化的共面波导参数,1093伏特下的击穿电压和89.8兆欧姆·厘米2的特定导通电阻从20微米长的共面波导器件中被获得到。实验中得到的场效应晶体管的沟道迁移率为21.7cm2*V-1*S-1,品质因数(BV2/Ron,sp)为13.3 MW/cm2。 阅读全文
摘要:
##单片机的IO口的结构 ###IO口结构的类型: 准双向IO——内输出0,IO输出1; 内输出1,IO输出0。 开漏输出——要IO输出高电平,必须加外部的上拉电阻。(标准51一般是这样) 强推免输出——具有较强的驱动能力,可以输出大电流。(有点像反相器的结构) 高阻态——主要用在输入引脚。 ### 阅读全文