摘要：
本文报道了在6英寸N+衬底上400–600伏、4H-碳化硅横向场效应晶体管的演示和制作，为了优化器件性能，改变了工艺和设计参数，如最高温度(900℃和1000℃)、不同的沟道设计[积累模式(ACCU)和反转模式(INV)]和沟道长度，并进行了实验分析，报告了400–600伏、4H-碳化硅横向金属氧化物半导体场效应晶体管的器件设计、布局、制造和电气特性。 阅读全文
摘要：
本文通过对具有不同的设计方式的具有减小的表面电场的横向4H-SIC-N型-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管进行测量和模拟，得到了得出了不同的设计情况下集成电路中的电气行为。在p型参杂的外延层中制作一个额外n型区域从而形成漂移区，测量到击穿电压在372至981伏范围内时，导通电阻从1000下降至54兆欧姆·cm2。最佳测量品质因数(FOM,V2BD/RON)值为12.3MW/cm2，1μm深的RESURF区域和6×1012cm-2的较高的RESURF注入剂量甚至会导致FOM值高于43 MW/cm2。 阅读全文