摘要：
#ISE中调用Block Memory Generator实现rom？ ##一、.coe文件的格式 ;This .COE file specifies the contents for a block memory of depth=256, and width=8. memory_initiali 阅读全文
摘要：
本文基于Xilinx的Artix7 FPGA开发板设计了一个包含显示、切换、调时、闹钟、自定义闹钟音乐等功能的数字时钟，并且对设计结果结果进行了验证，在Artix7板子上成功下板实验，达到了预期的效果。 阅读全文
摘要：
本教程主要是针对ISE14.7版本软件，对两种Spartan-3E板子的固化操作进行了演示，其中大部分操作相同，可以互为参考进行。 阅读全文
摘要：
物理不可克隆函数(PUF)是一种硬件安全原语，可以产生独特的芯片标识，具有广阔的应用前景。然而，由于PUF的可靠性容易受到复杂外部环境的影响，设备认证的安全性受到威胁。本文设计了一种多可调谐环形振荡器结构，该结构可以同时改变振荡信号的传输路径和各器件的内部延迟。这样可以最大限度地提高熵源结构的延迟复杂度，用少量的硬件资源就可以生成更多的认证密钥数据。在此基础上，提出了一种预测试验筛选系统。通过预选系统，在低温和高温下进行了短时间的测试。可以更准确地设置滤波响应的阈值，提取高偏差响应，大大提高PUF的可靠性，使设备认证更加安全。实验结果表明，所设计的PUF可以达到49.52%的均匀性和49.17%的唯一性，非常接近理想值。此外，它可以在−40-100◦C和0.8-1.2V的范围内保持高可靠性，表明鼓励的有效性和可靠性。 阅读全文
摘要：
本文提出了一种在现场可编程门阵列(FPGA)上生成真随机数的新方法，该方法 多级反馈环形振荡器(MSFRO)的随机抖动为熵源。在传统环形振荡器的基础上，增加了多级反馈结构，扩大了时钟抖动的范围，提高了时钟采样频率和熵源的随机性。与传统的时钟采样结构不同，我们利用MSFRO产生的时钟抖动信号对FPGA的锁相环(PLL)产生的时钟信号进行采样。对得到的输出值进行异或运算，以减小输出值的偏差，提高其随机性。TRNG在Xilinx Virtex-6 FPGA中实现，硬件资源消耗低，吞吐量高。将熵源分类、硬件资源和吞吐量与现有trng进行了比较。结果表明，拟合成的TRNG只消耗24个lut和2个DFFs。与其他trng相比，该设计硬件资源消耗非常低，吞吐量可达290 Mbps。此TRNG生成的随机位序列通过NIST SP800-22测试和NIST SP80090B测试。 阅读全文
摘要：
本报告主要是记录微院的生产实习相关内容，包括实际操作中的工艺步骤，每一阶段的工艺参数等，详细记录了实现一个NPN晶体管的全部流程。 阅读全文
摘要：
##集成电路设计发展 以元件为基础→以单元为基础→以TL综合为基础→以IP为基础 ##集成电路发展的三个阶段 70年代→80年代（单片机）→90年代（四业分离）→正在进行的变革 ##Verilog→硬件描述语言 电路设计→→程序设计 VHDL→更加严谨 ##1995年1364-1995标准 比较重要 阅读全文
摘要：
本文报道了在6英寸N+衬底上400–600伏、4H-碳化硅横向场效应晶体管的演示和制作，为了优化器件性能，改变了工艺和设计参数，如最高温度(900℃和1000℃)、不同的沟道设计[积累模式(ACCU)和反转模式(INV)]和沟道长度，并进行了实验分析，报告了400–600伏、4H-碳化硅横向金属氧化物半导体场效应晶体管的器件设计、布局、制造和电气特性。 阅读全文
摘要：
本文通过对具有不同的设计方式的具有减小的表面电场的横向4H-SIC-N型-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管进行测量和模拟，得到了得出了不同的设计情况下集成电路中的电气行为。在p型参杂的外延层中制作一个额外n型区域从而形成漂移区，测量到击穿电压在372至981伏范围内时，导通电阻从1000下降至54兆欧姆·cm2。最佳测量品质因数(FOM,V2BD/RON)值为12.3MW/cm2，1μm深的RESURF区域和6×1012cm-2的较高的RESURF注入剂量甚至会导致FOM值高于43 MW/cm2。 阅读全文
摘要：
本文报道了一个具有大电流处理能力(10 A)的600伏4H-碳化硅横向场效应晶体管的演示。为了在横向结构中实现高击穿电压，实现了减小表面电场(RESURF)结构以减轻表面电场拥挤。一个single RESURF(P-top) 被设计在一个6英寸的N型区域。衬底表现出120伏/微米的电压支持能力，导致600伏的击穿电压。交叉栅极指状物的总宽度为198毫米，具有高电流支持能力。对于相对低电压横向场效应晶体管（<600V）,为了进一步提高导通电阻，需要更加关注实现低沟道、接触、金属和JFET区域电阻，而不是低漂移层电阻。本文讨论了所提出的600伏、10安、4H-碳化硅横向单个RESURF金属氧化物半导体场效应晶体管的器件设计、制造和电学特性。 阅读全文