2024年11月10日
eNVM
摘要： RRAM（电阻式随机存储器） 数据编码：RRAM利用不同的电阻状态编码数据，通常通过高电阻状态（HRS）和低电阻状态（LRS）来分别表示二进制的“0”和“1”。这种电阻变化通过施加特定的电压或电流来改变存储单元的导电性。 计算方式：在存内计算中，RRAM通过施加控制电压来实现逻辑运算和矩阵运算。RR 阅读全文
posted @ 2024-11-10 10:36 信海 阅读(16) 评论(0) 推荐(0) 编辑