关于MOS管的一些拙见

  MOS管在很多项目中都是一定会出现的,在不同场合,MOS的作用也不同。本文意在记录现阶段对于MOS管的认识与见解。

  MOS管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。这种器件不仅兼有体积小、重量轻、耗电省、寿命长的特点,而且还具有输入阻抗高、噪声低、抗辐射能力强、制造工艺简单等优点。MOS管在大规模和超大规模集成电路中占有重要地位。

  对于MOS的内部结构本文就不介绍了,因为项目中不会考察MOS内部结构,而是注重MOS的应用。

  首先,我最先能想到MOS的几个特点:

  1.   通过栅极(G)控制通断,NMOS的Vgs要大于一定正电压、PMOS的Vgs要小于一定负电压;
  2.   Vgs绝对值增大将减小Rds;
  3.   通常,价格超过十块钱的MOS管附带的体二极管要比几毛钱一个的续流二极管靠谱。

  在项目中使用MOS管普遍是作为一个开关管来使用。例如开关电源,H桥驱动等设计中,都是利用MOS来控制电路通断,来实现项目功能的。这样就需要考虑MOS的一些寄生参数。

  例如,我在设计一个H桥驱动时我就需要考虑MOS管三个引脚的寄生电容。MOS管导通,必须使栅极寄生电容都充满电,这个参数Qg(tot)将与驱动电路的开关频率和MOS驱动的选型相关。如果选择的驱动推力小,即给栅极充电能力弱,那么MOS管打开的速度就会慢。所以驱动MOS管的频率就不可以选择太高。上面的特点已经提及到,MOS的导通内阻和Vgs有关。如果开管的过程较慢,可以想象I*R关于时间的积分将会很大,那么每个周期MOS管内将积攒很多热量,多个周期后,MOS管将承受不住热量而损坏。这也是为什么许多关于MOS管驱动的博客里会写道开管速度慢会导致烧管的原因。

  关于MOS管栅极电阻的选择。MOS管的栅极电阻实际上是用来改善栅极充放电波形的(抑制谐振)。

  首先,我们要了解RLC电路的谐振模型,这里假设读者已经了解了。那么我们可以知道在无负载的情况下,RLC电路在谐振频率的放大倍数将达到无穷倍。那么加上负载,可以知道负载阻抗越大(正好前文提到过MOS的阻抗非常大),在谐振频率处的增益越大(毕竟开路阻抗等于无穷大)。如果增加RLC电路中的R呢?通过电路知识可以知道R增加,谐振增益将会减小。这里的R就是MOS管栅极串联的栅极电阻Rg,L是引线的寄生电感,C则是栅极寄生电容。驱动MOS的信号通常是方波信号,通过傅里叶分解,可以得到多种正弦信号,那么必定有一种正弦信号频率就在谐振频率上。如果不串联栅极电阻,就可能导致在谐振频率上的信号被放大,导致MOS管栅极波形失真(例如出现尖峰)。这种情况是工程师不希望看到的,因此需要串联一个栅极电阻。那么为了抑制信号受到放大而失真,能否将栅极电路取得很大呢?当然是不能的。如果将栅极电阻取得很大,将会使驱动信号里的高频分量丢失,驱动上升沿变缓,这也是工程师们不想看到的结果。

  以上可以知道栅极电阻的选择分为以下几步:

  1.分析MOS走线带来的寄生电感,MOS内部的寄生电容,以及MOS驱动信号源输出电阻,构建RLC电路增益曲线;

  2.分析驱动信号频谱;

  3.根据RLC电路增益曲线以及频谱,选择合适的Rg,使驱动信号频谱中某一频率不会被过分放大,也不会使驱动信号高频分量丢失。

  如果以上三步对于你来说有些困难,那么可以参考MOS数据手册给出的Rg(ext)来选择。通常手册会建议用户接入一个5Ω或是10Ω的电阻来改善栅极充电波形。

  关于MOS管选型。受工艺影响,NMOS的性能通常高于PMOS(NMOS耐压值高、栅极电荷Qg(tot)小、过流能力强等),并且价格NMOS也比PMOS便宜,所以在一些设计中,常常使用NMOS。当然也会有使用PMOS的时候,例如H桥驱动电路,如果使用NMOS,那么则需要考虑高端驱动(High-Side)的问题,因为想要NMOS导通,必须使Vgs大于一定正电压才行,同样使用PMOS则需要考虑低端驱动(Low-Side)。那么高端使用PMOS,低端使用NMOS不就解决了这个问题吗?没错!英飞凌的BTN集成半桥驱动就是将PMOS和NMOS集成在一起搭建的半桥电路。所以关于N、P的选型,通常我会在大功率项目中优先考虑选择NMOS。然后就是关于MOS本身参数的选取,例如Vgs。在数据手册中Vgs通常表明这是GS间能加的最大电压,这个电压通常为20V,即Vgs不能超过20V。另外还有一个Vgs(TH),这个参数代表着MOS的导通电压。Vgs(TH)越小自然越好。另外我还会关注在不同Vgs处管子的导通内阻Rg,Rg自然是越小越好,这样子电路工作效率也会更高。特别是在大电流的项目里,Rg每减小一点都将给系统带来巨大的功率节约。另外还需要考虑Ids,通常MOS的Ids都能做到100A以上,一般都是绰绰有余的(而且一般而言,普通板子的走线散热设计达不到MOS的Ids)。最后就是看MOS的工作频率,ton、toff、Qg这些参数。相信前文对于Qg,管子开关频率的讲解已经足够详细,这里就不在赘述。

  

 

posted @ 2021-02-10 23:47  LyricsWu  阅读(1437)  评论(0编辑  收藏  举报