STM32F103移植CH32F103C8T6内部FLASH速度慢问题解决办法

STM32F103移植CH32F103C8T6内部FLASH速度慢问题解决办法

博主做项目一直采用STM32F103C8T6，近期因为元器件涨价博主决定换单片机，于是瞄上了江苏沁恒的CH32F103C8T6，这款单片机几乎不需要修改一个代码便能移植项目(PACK导入编译直接下载那种)，而且代码执行速度略快于STM32F103C8T6，软件延时可能得稍微修改一下，但是在测试过程中发现不能远程更新固件，后来仿真得知，并不是不能，而是非常慢，37Kb的一个文件写入内部flash时间长达一分半，我以为是HSE没有起振，但是发现软件延时的蜂鸣器频率没问题，后来博主电话联系了江苏沁恒，技术给我解释道为了兼容STM32F103C8T6沿用了他们方法，但是速度慢，不过可以运用它们的快速编程模式，并且给我发送了一份相关操作文档。
原文档在此：CH32F103_FLASH快速编程移植说明.docx
文档写的很清楚。

主要操作流程：

1、先在STM32F10X.H内FLASH操作结构体当中增加快速操作写入密钥，。
2、在解锁函数内增加快速编程解锁密钥。
3、定义一下单片机flash大小，防止超出区域
4、定义一下快速操作的相关编程位
5、下来几步是重点，要修改FLASH_ErasePage()函数，在STM32F103C8T6中页大小是1K这个函数是擦除一个页，但是CH32F103擦除只能是128字节，如图修改后运行FLASH_ErasePage(0x8005000)；
6、在stm32f10x_flash.c增加三个函数中增加FLASH_BufReset()函数、FLASH_BufLoad()函数以及快速编程函数FLASH_ProgramPage_Fast()，注意在.h中要声明一下。
之后所有的flash操作都要基于这三个函数完成并且官方给了一个操作例程。

写入flash操作步骤如下：

解锁->擦除->bufReset（这可能就是CH说的代码预存器）->把要写入的数据加载到预存区，一次可加载16个字节，最多可加载128字节->然后运行FLASH_ProgramPage_Fast（）写入，最后上锁，经过博主测试，此方法一次最多只能128字节，可以少于128字节。

博主也测试了相关的写入速度：

1、STM32F103C8T6的FLASH写入模式32kb文件写入1秒以内。
2、CH32F103C8T6运用STM32的写入模式32kb写入速度一分15秒。
3、CH32F103C8T6运用快速写入方法32kb写入速度1.3秒。

最后附上我写的写入函数（注意解锁）：

void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)   
{ 			
u32 buf1,buf2,buf3,buf4;	
	u16 i,b=0;
	u32 NWriteAddr=0;
	NWriteAddr=WriteAddr;
			FLASH_BufReset();
	for(i=0;i<NumToWrite;i+=8)
	{ b++;
		buf1=(pBuffer[i+1]<<16)+pBuffer[i];
		buf2=(pBuffer[i+3]<<16)+pBuffer[i+2];
		buf3=(pBuffer[i+5]<<16)+pBuffer[i+4];
		buf4=(pBuffer[i+7]<<16)+pBuffer[i+6];
		FLASH_BufLoad(WriteAddr,buf1,buf2,buf3,buf4);
	 // FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer[i]);
    WriteAddr+=16;//地址增加16.

if(b>7){b=0;															//写入一次只能写入128个字节

FLASH_ProgramPage_Fast(NWriteAddr);

NWriteAddr=WriteAddr;

FLASH_ErasePage(WriteAddr);// 一次只能擦除128个字节

FLASH_BufReset();

}

}
}
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最后附上我移植后的STM32F1的库文件，复制直接替换：
CH32F103C8T6快速编程修改文件