PI膜应变片试样制备
一、选取基板
1.喷涂在玻璃基板上PI膜
2.正面用记号笔标记PI膜工艺参数——转速、厚度
3.玻璃板背面为PI膜
二、贴防护膜
1.事先画好二维图,以dxf格式存放
2.裁减合适的大小,并将其贴在打印纸上,用硬物压紧粘牢
3.按下打印机后面的扳手,将滚轮抬起,放入打印纸,抬起扳手
4.开机,打开操作界面,导入文件
5.排版,设定切割参数,注意切割力度6~7即可
6.开始切割
7.将切好的防护膜贴到玻璃基板两侧,在写有标签的一侧贴一层膜,在PI膜那一侧贴上刚刚切割的膜
8.将制备好的试件放入培养皿中并标注。
三、磁致溅射
西净化间磁控溅射操作步骤
1.打开压缩空气或者氮气(左边),接好Ar(右边第四路,开关打到竖直为开,减压阀尽量关小一点(不超过4),防止压强过大直接把阀控冲开,建议将减压阀逆时针扭到底,调流量的时候再慢慢打开一点),开电源(电源柜左下方),水箱自动开(报警的话说明循环水没开,就在水箱上先开泵,再开压缩机)
2.开放气阀,放样品,放靶材(旋下屏蔽罩,拧松四颗螺钉(M2.5),顺时针转一点取下压盖),样品挡板有问题已拆,注意关好靶挡板,关腔室门
3.关放气阀,开机械泵,开旁抽阀,开真空计,至压强为8Pa以下时,关旁抽阀,开电磁阀,开分子泵(直接按on,出现倒三角符号即开),(不必等待分子泵转速升到820,直接)开插板阀,继续抽真空(10-4pa)
4.当抽到真空压强后,开流量显示仪电源(ON),等待示数稳定至0附近
5.开进气阀,这个时候压强会上升,是因为混气室里的气体进入到了真空室,等待一会,等电离计压强不再上升开始下降,最好继续下降到5×10-3以下
6.开截止间,跟步骤5一样,这个时候压强会上升,等待一会,等电离计压强不再上升开始下降,最好继续下降到5×10-3以下
7开阀控(流量仪的左边是Ar,阀控打到中间为开,阀控干万不要打到最左边的清洗了)等待一会儿,确定电离计上的压强没有上升时(在10-3),电离计打到手动,开节流阀(节流阀之前气缸装反了,所以现在操作跟之前是反的),调工艺气流量(Cu一般为28左右),至溅射压强(一般,Cu:0.8-1Pa)。
8.开直流电源(A、C靶)或射频电源(B靶),调整溅射功率,按On,预溅射一定时间(3min);
9.开步进电机电源,选择正转或者反转都行,开靶挡板,溅射,时间到后,关挡板,关步进电机,关直流电源或射频电源
10.流量计示数置0后锁紧,等待流量仪示数稳定(到0附近),关阀控(打到右边),关流量计,关节流阀,等几秒钟,关截止阀,进气阀
11.关Ar气(减压阀逆时针选到底,开关打到水平状态为关)
12关插板阀,关分子泵(按下OFF即可,第一个灯开始闪烁,调至309或398可看实际频率或转速)至转速为0,时间较长(约50min)慢慢等待;注意,分子泵转速为0后才能关电磁阀),关电磁阀
13关真空计,开放气阀,取样品和靶材,关腔门
14.开真空计,关放气阀,开旁抽阀抽真空保护,抽到8Pa以下后关真空计,关旁抽阀,关机械泵,关电源,关压缩空气或者氮气(左边,只将开关打到水平即可);
四、实验结束