存储器随记

存储器可分为易失性存储器和非易失性存储器，易失性存储器一般有：SRAM、DRAM、SDRAM等，而非易失性存储器有：ROM（只读存储器）、PROM（可编程式只读存储器）、EPROM（电可改写只读存储器）、EEPROM（电可擦除编程式只读存储器）、FLASH Memory(闪存)等。若数据需要长期保存，则必须存储在非易失性的存储器里面。

易失性存储器在掉点之后数据无法保存，将会丢失，而非易失性存储器在掉电之后仍然可以保存资料。

SRAM：中文名为静态随机访问存储器，不需要进行刷新操作，只要不掉电数据就不会丢失。“随机访问”意味着存储器里面的内容可以以任何顺序进行访问。缺点是集成度低。常用作告诉缓存，比如计算机里面的cache。

DRAM ：中文名动态随机存储器。DRAM用于通常的数据存取。我们常说内存有多大，主要是指DRAM的容量。与SRAM的区别就是需要不断的刷新以保存数据。

SDRAM：同步动态随机存储器，同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步，需要刷新，容量大，速度快

 

Flash 与 EEPROM的区别：

闪存是电可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写，这样EEPROM就比闪存的更新速度慢。而闪存可以在Block上进行删除和重写。Falsh擦写次数少，而EEPROM擦写次数多。

 

NAND NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同：

闪存芯片读写的基本单位不同：NOR芯片操作以“字”为基本单位。NAND芯片操作是以“块”为基本单位

NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合存放大的数据。

由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。

NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行(XIP,eXecuteInPlace)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。由于NOR的这个特点，嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。而NAND共用地址和数据总线，需要额外联结一些控制的输入输出，所以直接将NAND芯片做启动芯片比较难。NAND闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因，不允许对一个字节甚至一个块进行的数据清空，只能对一个固定大小的区域进行清零操作；而NOR芯片可以对字进行操作 。所以在处理小数据量的I/O操作的时候的速度要快与NAND的速度.