分析mosfet的开关速度。
mosfet的开关速度,有栅极上的电压冲放速度有关。有栅极输入电阻和Cgd和Cgs构成的RC时间常数决定。其中其决定性作用的是Cgd。
单片机的IO内阻一般几十欧姆,而一般的栅极驱动器一般只有几个欧姆。
提升驱动电流和减小栅极电阻是一回事。
mosfet一般栅极寄生电阻就有1欧姆。
快速开通mosfet会给电路带来毛刺干扰,快速关断没有问题。
可以在栅极添加合适栅极电阻,减小开关速度,同时在电阻上反并一个二极管,不影响关断速度。
懒惰不会让你一下子跌到
但会在不知不觉中减少你的收获;
勤奋也不会让你一夜成功
但会在不知不觉中积累你的成果
越努力,越幸运。