W25Q64闪存部分指令

1. 写使能-06h

写使能将状态寄存器1的WEL位置一
执行Page Program, Quad Page Program, Sector Erase, Block Erase, Chip Erase, Write Status Register and Erase/Program Security Registers 指令前都必须写使能。
WEL位在上电以及Write Status Register, Erase/Program Security Registers, Page Program, Quad Page Program, Sector Erase, Block Erase, Chip Erase and Reset指令执行后自动重置
使用：
①CS拉低
②发送指令06h
③CS拉高

2. 写禁止-04h

①CS拉低
②发送04h指令
③CS拉高

3. 读数据-03h

注意：
在进行芯片擦除、编程、写期间执行该指令，该指令会被忽略，不产生任何影响
该指令仅支持Standard SPI Mode
使用步骤：
①CS拉低
②发送读数据指令03h
③发送24位数据地址
④连续读出数据，每次8位（MSB）
⑤CS拉高

4. 快速读取-0Bh

与读数据-03h类似，在发送完地址后多发送一个DUMMY（即多发一个字节数据，数据为多少无所谓）给设备内部电路额外的时间来设置初始地址，之后以最高速率进行读取
使用步骤：
①CS拉低
②发送读数据指令03h+24位数据地址+8位DUMMY
③连续读出数据，每次8位（MSB）
④CS拉高

5. 页编程-02h

在已擦除的位置对1-256字节数据进行编程，使用前需执行写使能。
当写入数据达到页尾后则下一个数据跳到页首覆盖页首数据，且因未执行擦除，页首数据为错误数据此需注意写入地址与写入字节个数
写入过程中该BUSY位置1，写入完成置0
如果寻址的页面受到块保护（CMP、SEC、TB、BP2、BP1 和 BP0）位或单个块/扇区锁的保护，则不会执行 Page Program 指令
使用：
①写使能
②CS拉低
③发送指令02h+24位地址
④连续写入数据，每次8位（MSB）
⑤写入完成，CS拉高
⑥等待Busy置0

6. 芯片擦除-60h/E7h

将整个芯片的储存空间写为1，使用前必须写使能
注意:如果任何储存空间受到块保护（CMP、SEC、TB、BP2、BP1 和 BP0）位或单个块/扇区锁的保护，则不会执行该指令
使用：
①写使能
②CS拉低
③发送60h/E7h指令
④CS拉高
⑤等待Busy，完成后WEL自动清零

7. 擦除扇区-20h

擦除4KB空间，使用前需要写使能
注意:如果任何储存空间受到块保护（CMP、SEC、TB、BP2、BP1 和 BP0）位或单个块/扇区锁的保护，则不会执行该指令
使用：
①写使能
②CS拉低
③发送20h指令+24位地址
④CS拉高
⑤等待Busy，完成后WEL自动清零

8. 擦除32KB块-52h

擦除32KB空间，使用前需写使能
注意:如果任何储存空间受到块保护（CMP、SEC、TB、BP2、BP1 和 BP0）位或单个块/扇区锁的保护，则不会执行该指令
使用：
①写使能
②CS拉低
③发送52h指令+24位地址
④CS拉高
⑤等待Busy，完成后WEL自动清零

9. 擦除64KB块-D8h

擦除64KB空间，使用前需写使能
注意:如果任何储存空间受到块保护（CMP、SEC、TB、BP2、BP1 和 BP0）位或单个块/扇区锁的保护，则不会执行该指令
使用：
①写使能
②CS拉低
③发送D8h指令+24位地址
④CS拉高
⑤等待Busy，完成后WEL自动清零

10. 读取制造/设备ID-90h

①CS拉低
②发送90h指令+24位地址（000000h）
③读取制造id、设备ID
④CS拉低

块图表

W25Q64的FLASH大小为64Mb=8MB
每个扇区为4KB（0x1000），共8MB/4KB=2048
每页为256Byte（0x100），共8MB/256Byte=32768
因此页编程地址最好从0x000100的整数倍开始，这是能够写入最大256个字节，超过字节后从页头重新覆盖数据，写入超过256KB的数据时要及时停下，更新地址后再次写入。