PWM控制器驱动功率MOS管时要注意控制器能为FET Gate提供持续电流的能力。在控制器手册中会给出这个电流的大小。MOS的G级需要的电流可由公式计算：Igate=Qg*Fosc。 Igate是MOS的G级需要的持续电流，Qg是MOS的电荷量，Fosc是MOS驱动器工作频率。
例如：一款MOS（MMFT3055L）手册中给出的Qg=7nC，MOS驱动器工作频率是500Khz，那么Igate=3.5mA.也就是说用的这个MOS控制器的PWM输出引脚要能给MOS的G级有持续提供3.5mA的能力。
我之前用的一款控制器持续供给能力最大只有4mA，用的MOS的Qg值也很大，29nC，工作频率300khz，Igate算下来也有9mA了，输出的高压（100V）一直是缓慢上升，慢慢的升到100V，我把频率降到100khz，输出的高压就正常了。想来应该是Igate供给能力不够，也就是说300khz情况下这款控制器是驱动mos能力有些弱。
如果输出高电压大电流时一定要在PWM控制器和功率MOS之间加上MOS驱动器。
如果对功率MOS Vds的SR值（压摆率，dVds/dt）要求很高，比如要求功率mos管在20ns内Vds值从0V升到200V，这时候要考虑1、MOS驱动器能提供的峰值电流；2、MOS管的米勒电荷Qgd值。假如Qgd=33nC，要求20ns内升到200V，那么MOS驱动器理论上具有的最小峰值电流 Ipp=33nC/20ns=1.65A。还要考虑布线时的寄生电感对dv/dt的影响，MOS驱动器的峰值电流怎么说也得至少2A。
