在FLASH中读写结构体
在FLASH中读写结构体
⚠ 注意事项
-
编程（写数据）地址要对齐
写数据时，我们要指定写入的地址，如果写入地址为非对齐，则会出现编程对齐错误。
比如遵循32位（4字节）地址对齐，你的地址只能是4的倍数。0x08001000正确，0x08001001错误。
不同型号对齐宽度可能不同，有的32位、有的128位等，可通过“取余”判断地址。比如我遇到在
EEPROM中写一个结构体时，下面这种会有问题，最后一个数据会写入失败。将uint8_t ID;改为uint32_t ID;则正常。typedef struct { // uint8_t ID; uint32_t ID; float zero; float dutyCorr; float fittingCorr; float initialTemp; } usrflash;
main.c
usrflash dtl645Config = {0};
...
// 读
FLASH_EEPROM_Read_struct(0x0801FC00, &dtl645Config);
// 写
FLASH_EEPROM_Write_struct(0x0801FC00, &dtl645Config);
flash.h
#ifndef __FLASH_H
#define __FLASH_H
#ifdef __cplusplus
extern "C"
{
#endif
#include "main.h"
// 在 FLASH 写入的结构体变量的类型。
// 第一个成员变量的变量名(ID)不要随便改；
// 变量类型也千万别瞎改。
typedef struct
{
uint8_t ID; // ID
uint8_t addr[6]; // 终端地址
uint8_t baud; // 波特率
uint8_t residualCurrent; // 剩余电流值
uint8_t warningValue; // 剩余电流预警值（百分比）
uint8_t actionValue; // 剩余电流动作值
uint8_t lndt; // 极限不驱动时间
uint16_t trippingTimes; // 跳闸次数mi
uint8_t password[3]; // 密码
uint8_t sSwitch; // 动作状态（0为断开，1为闭合）(分闸/合闸)
uint8_t sStatus; // 运行状态（0为正常，1为警告，2为越限）
} usrflash;
// 在FLASH中写一个字(32bit)
void FLASH_EEPROM_Write(uint32_t a, uint32_t n);
// 从FLASH中读取一个字(32bit)
uint32_t FLASH_EEPROM_Read(uint32_t addr);
// 在FLASH中写一个结构体(usrflash 类型的结构体)
void FLASH_EEPROM_Write_struct(uint32_t addr, usrflash *userinfo);
// 从FLASH中读取一个结构体(usrflash 类型的结构体)
void FLASH_EEPROM_Read_struct(uint32_t addr, usrflash *userinfo);
#ifdef __cplusplus
}
#endif
#endif /* __FLASH_H */
flash.c
//***************************************************************************************************
// flash.c 串口相关功能实现
//
// Includes
// ******************************************************************************************
#include "flash.h"
//***************************************************************************************************
// 在FLASH中写一个字(32bit)
// 传入参数为写入的地址和要写入的数据, 写入数据以字为单位，每个字占32bit即4Byte.
// 擦除时将擦除此地址所在的一整页。
//
void FLASH_EEPROM_Write(uint32_t addr, uint32_t n)
{
// FLASH 擦除操作 --------------------------------------------------------------/
HAL_FLASH_Unlock(); //解锁
uint32_t PageError = 0; // 如果出现错误这个变量会被置为出错的FLASH地址
FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct; // 定义结构体
EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; // Flash执行页面只做擦除操作
EraseInitStruct.PageAddress = addr; // 要擦除的地址
EraseInitStruct.NbPages = 1; // 要擦除的页数
if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError) == HAL_OK)
; // 擦除此地址所在的一整页
// FLASH 写入操作 --------------------------------------------------------------/
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, addr, n); // 向FLASH中写入
HAL_FLASH_Lock(); // 锁住FLASH
}
//***************************************************************************************************
// 从FLASH中读取一个字(32bit)
// 入口参数为要读取的FLASH的地址,返回值为uint32_t变量
//
uint32_t FLASH_EEPROM_Read(uint32_t addr)
{
uint32_t pValue = *(__IO uint32_t*)(addr);
return pValue;
}
//***************************************************************************************************
// 在FLASH中写一个结构体(usrflash 类型的结构体,这个类型在 flash.h 中定义的).
// 传入参数为要写入的地址和 usrflash 型结构体变量的取地址。
// 擦除时将擦除此地址所在的一整页。
// STM32F103C8 的 FLASH 中每页的大小为 1k, 写入时需注意数据量不要太大。
//
void FLASH_EEPROM_Write_struct(uint32_t addr, usrflash* userinfo)
{
// FLASH 擦除操作 --------------------------------------------------------------/
HAL_FLASH_Unlock(); //解锁
uint32_t PageError = 0; // 如果出现错误这个变量会被置为出错的FLASH地址
FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct; // 定义结构体
EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; // Flash执行页面只做擦除操作
EraseInitStruct.PageAddress = addr; // 要擦除的地址
EraseInitStruct.NbPages = 1; // 要擦除的页数
if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError) == HAL_OK); // 擦除此地址所在的一整页
// FLASH 写入操作 --------------------------------------------------------------/
for (uint8_t i = 0; i < sizeof(usrflash); i += 4) {
if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, addr + i, *((__IO uint32_t*)(&userinfo->ID + i))) != HAL_OK) //这里的数据由于是结构体,需要从里面取值,一定要以第一个成员的地址开始偏移,不能使用结构体自身的地址来偏移,否则数据会出错
{
HAL_FLASH_Lock();
return;
}
}
HAL_FLASH_Lock();
}
//***************************************************************************************************
// 从FLASH中读取一个结构体(usrflash 类型的结构体,这个类型在 flash.h 中定义的).
// 入口参数为要读取的 FLASH 的地址和接收数据的 usrflash 型结构体变量的取地址。无返回值。
// 为了避免数据出错,读操作一定要和写操作对应,写是按双字写,读就要按双字读,否则就需要解决大小端的问题。
//
void FLASH_EEPROM_Read_struct(uint32_t addr, usrflash* userinfo)
{
for (uint8_t i = 0; i < sizeof(usrflash); i += 4) {
*((uint32_t*)(&userinfo->ID + i)) = *(__IO uint32_t*)(addr + i); //注意赋值的左边,必须要用结构体第一个成员的地址来偏移,双字偏移量是8
}
//这样获取的结构体内容,可以直接通过结构体变量或者结构体指针来访问了.
}
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