01 2025 档案
摘要：【模拟电子技术】17-基本放大电路的派生电路与场效应管放大电路的分析原则 现在提出要求，要用NPN,PNP三极管各一个来构造放大电路，要求在大功率的时候，从输出端看都是PNP型，复合管就可以做到这一点 可以看出第一个管子的功率肯定没第二个大，但是第一级管子决定了复合管的类型。 复合管也是用同样的方法
阅读全文
摘要：【模拟电子技术】16-基本共基放大电路与场效应管放大电路的构成原理 要想分析共基放大电路，也是同样的思路，静态工作点等效出RBE然后画交流通路，画出简化的H参数等效模型图（c），然后分析Au输入电阻和输出电阻 共基放大电路的好处是通频带放大了（1＋β）倍 利用戴维南等效，外加电压法可得出 输入电阻比
阅读全文
摘要：【模拟电子技术】15-Q点稳定的放大电路和基本共集放大电路 增加RE抑制温漂 增加RB2并使得经过它的电流很大，分压大，使得静态工作点趋于稳定 但是RE电阻在交流通路中会使得放大倍数减小（即使我们分析输入电阻，得到输入电阻增加了，但是我们还是希望得到一个高放大倍数的电路） 于是我们需要想办法在交流通
阅读全文
摘要：【模拟电子技术】14-基本共射放大电路的动态分析 给出问题，求三个参数。反推：需要Aus就需要求解交流通路（动态参数H等效模型），交流通路需要知道Rbe，Rbe需要知道Rbb'，Rbb'需要知道静态工作点，静态工作点需要分析直流通路，思路有了。 得到Au 现在再次探讨输入电阻对放大电路的影响，假设U
阅读全文
摘要：【模拟电子技术】13-H参数等效模型 我们已经知道在不同的静态工作点下，即使给三极管相同的的Ib，得到的Ic也会不同，引出H参数等效模型 在第07节中有一张这样的图 我们可以看出IB与UBE和UCE都有关，注意这里的真正的物理原因，UCE大到一定程度时候，从发射极到集电极的电子会饱和，是这种原因导致
阅读全文
摘要：【模拟电子技术】12-放大电路的分析方法 分析交流时候，必须先分析直流，因为交流电路中的等效电阻与静态工作点相关。于是需要分析直流通路。交流电源置零，电容视为断路 静态的所有问题都可以在直流通路中找到。 后分析交流通路。直流电源置零，交流通路频率高，容抗小，电容视为短路，接下来就是用外电路条件和输入
阅读全文
摘要：【模拟电子技术】11-放大电路的性能指标 通过输入，输出侧的各一个电容来到输入纯交流，输出纯交流 Ui变化引起UBE变化，UBE变化引起IB变化，IB变化引起IC变化，IC变化引起UCE变化，UCE变化引起Uo变化 关于输入，输出等效电路的问题： 输入电阻Ri越大越好还是越小越好？当然是越大越好，因
阅读全文
摘要：【模拟电子技术】10-基本放大电路的构成 交流骑在直流源上产生IB控制IC 加上集电极反偏直流电压源后，满足工作在放大区的条件 现在考虑如何输出 我们用IB控制IC，得到的是电流，想得到电压信号，加电阻即可。但是如果直接在Uo两端接负载，那么输出的会有直流，体现不出交流，因此需要图中Rc的位置。 接
阅读全文
摘要：【模拟电子技术】09-结型场效应管和特性 D和S本来是导通的，在GS施加反压，使得PN结加宽，最终真正地夹断 UGS小于0是因为大于0，PN结将导通。这是N型的，如果是P型那就是反过来，总之不能让PN结导通 这里为什么叫转移特性曲线，因为栅极并没有电流，没法研究其输入电流和电压UGS的关系，因此研究
阅读全文
摘要：【模拟电子技术】08-MOS管的工作原理 MOS管是双极型的器件，有少子参与导电，因此受到温度影响较大。 注意两个N极周围的不是SiO2是PN结 这里刚开始加UGS时，空穴往外排斥，再加电压，P区少子，即电子向栅极靠拢，因而形成通道 现在UGS已经可以控制电子通道大小，这可以看作是一个源极和漏极的电
阅读全文
摘要：【模拟电子技术】07-BJT特性曲线共射 我们要用三极管，那么就必须考虑输入和输出，即考虑输入特性曲线和输出特性曲线 UCE固定，考虑UBE和IB的关系，就相当于一个PN结了！考虑多个变量的关系时，我们往往固定其他变量，然后看其中两个变量的关系，然后两两拿出来观察。 三极管有三种基本工作状态：截止状
阅读全文
摘要：【模拟电子技术】06-双极晶体管的结构与放大原理 图（b）中我们可以看到三个区的分类，发射区之所以为发射区是因为掺杂浓度高，才能发射电子出去。而集电区掺杂浓度低，就好比我们想让一个房间当作仓库，那么它的空间肯定要大，里面原本不能是放了很多东西。 下图NPN晶体管中发射结正偏，集电极反偏 如图发射极接
阅读全文
摘要：【模拟电子技术】05-二极管的微变等效和稳压二极管 经过图中推导可得到等效电阻与温度当量UT相关，并且与托高作用的直流电压相关，下面是二极管的微变等效思路。 等效后电路如下，注意直流电压源已经等效在坐标图中将原点移动，因此分析的时候不要再考虑。 至此二极管V-A特性曲线正向的已经利用完，接下来应该考
阅读全文
摘要：【模拟电子技术】04-二极管的直流等效电路 上节提到PN结形成到二极管，并且了解到二极管V-A特性曲线每一段都能利用，并且可以规定电流路径。 使用二极管的时候需要关注它的主要参数 这四个参数中的每一个在使用的时候都需要考虑，如果没有选择好规格的话，使用时就可能烧坏。 不难看出 V<UD时，电流为0；
阅读全文
摘要：【模拟电子技术】03-PN与二极管的特性 上节中有提到对PN结施加反向电压时，会使得PN结所形成的势垒增加，阻止多子到另一边。在掺杂浓度比较低的时候，外加电场加强，中间的耗尽层会加长，变成了一个粒子加速器，自由电子进去后不断加速。直到某一电场强度时，粒子加速足够大的时候，撞在了共价键上，破坏共价键中
阅读全文
摘要：【模拟电子技术】02-PN结的形成 半导体就是导电能力介于导体和半导体之间的东西， 本征半导体即纯净的半导体。 导电靠自由电子，可看到自由电子即使是本征激发也少，导电能力也不够。自由电子撞在空穴中，就是复合（与本征激发相反），两者发生的频率决定着载流子的浓度，其实是温度的改变决定着载流子浓度变化，T
阅读全文
