【模拟电子技术】17-基本放大电路的派生电路与场效应管放大电路的分析原则

【模拟电子技术】17-基本放大电路的派生电路与场效应管放大电路的分析原则

现在提出要求，要用NPN,PNP三极管各一个来构造放大电路，要求在大功率的时候，从输出端看都是PNP型，复合管就可以做到这一点

可以看出第一个管子的功率肯定没第二个大，但是第一级管子决定了复合管的类型。

复合管也是用同样的方法分析

得出来电流又放大了β倍

接下来看共射—共基放大电路，为什么要把他们组合起来呢，因为我们知道共射放大电路是有良好的电流放大倍数，共基放大电路是拓宽了带宽，这样构成可以集中两者的优点

这个电路是在获得更大的Ui的同时（输入电阻大），拓宽了带宽。用于小电压信号

上面这个电路思路应该很清晰了，VGG是为了使得MOS管的VGS大于开启电压，正常工作。VDD是提供较大的VDS工作使其在恒流区，最后加上交流电U1开始放大。

我们要想知道MOS管放大电路的分析方法，就必须知道MOS管的“输入特性曲线”但是我们知道MOS管的门极是绝缘的，得不到电流，于是它的“输入特性曲线”称为转移特性曲线，体现的是UGS与ID的关系

请注意这种关系是工作在恒流区得到的，因为如果不是恒流区的话，ID是受到UGS与UDS两个变量的控制。三极管的输入特性曲线是没有这种限制的，因为三极管的输入特性曲线仅仅是PN结电压电流的关系

用分析三极管同样的分析方法可以得到MOS管的等效模型

后面的思路与三极管也相似，在静态通路求出ID，再求出Gm做出交流通路，等效模型，分析