计算机组成原理学习笔记「双端口RAM和多模块存储器」
双端口RAM
两个端口对同一主存操作有以下4种情况：
-
两个端口不同时对同一地址单元存取数据
-
两个端口同时对同一地址单元读出数据
-
两个端口同时对同一地址单元写入数据
可能会发生写入错误
-
两个端口同时对同一地址单元，一个写入数据，另一个读出数据
可能会发生读出错误
针对上述可能发生的错误的解决方法：（类似操作系统的同步互斥锁）
- 设置“忙”信号为0
- 由判断逻辑决定暂时关闭一个端口（即延迟等待）
- 未被关闭的端口正常访问，被关闭的端口延长一个很短的时间段后再访问
多模块存储器
- 普通存储器
- 每行一个存储单元
- 单体多字存储器
- 每个存储单元存储m个字
- 总宽度也为m个字
- 一次并行读出m个字
- 多体并行存储器
- 每个模块都有相同的容量和存取速度
- 各模块都有独立的读写控制电路、地址寄存器和数据寄存器
多体并行存储器
一个存储周期内，交叉存储器可以提供的数据量为单个模块的m倍(m为存储体数)
-
高位交叉编址的多体存储器
各个体并行工作
-
低位交叉编址的多体存储器（流水线技术）
各个体轮流编址
交叉方式的优点：
- 对连续字的成块传送可实现多模块并行存取，**提高了存储器的带宽*
