ROM
Read Only Memory
掉电信息不丢失
MROM
Mask ROM
掩模ROM：根据存储信息的二进制代码，设计相应的光刻掩模，以半导体的有无记录信息。
- 选中(0,0)单元时，行列交叉处有MOS管，该管导通使列线接地，读放大器反相输出1
- 选中(31,0)单元时，行列交叉处无MOS管，列线没有接地输出高电平，读放大器反相输出0
| 特点 |
|---|
| 存储信息固定不变，不可改写 |
| 适用场合 |
|---|
| 字符点阵存储器 |
| 微程序控制器 |
PROM
Programmable ROM
可编程的ROM芯片在出厂时内容全为0，用户可以通过专用的写入器将其信息自行写入。
可分为：
- 结破坏型
- 熔丝型
| 特点 |
|---|
| 已断的熔丝是无法恢复的写入操作不可逆，用户只能写一次不能重写 |
| 适用场合 |
|---|
| 可编程逻辑阵列Programmable Logic Array |
PLA广泛应用于数字系统和VLSI芯片设计。主板芯片组的集成采用了VLSI技术
EPROM
Erasable Programmable Read-Only Memory
可擦除可编程ROM：
EPROM在出厂时浮动栅无电子，所有位线输出均为1
-
写入0：
D端加25V高压，外加编程脉冲（宽50ms），被选中的单元被注入电子，EPROM管导通 -
擦除：
通过芯片封装上方的石英玻璃窗，将紫外线照射进入芯片。紫外线照射浮动栅，使电荷泄露。
| 特点 |
|---|
| 需要专门的写入器，擦写器 |
| 只能芯片级擦除（全部信息一次性擦除） |
因为氧化层损耗的原因，EPROM通常能重写10万次
EEPROM
Electrically Erasable Programmable read only memory
电擦除型可编程ROM：采用了更方便的高电压擦除数据的方式
对比EPROM，EEPROM可只对特定存储单元加高压形成电子隧道擦除其数据，其他单元数据保持不变
| 特点 |
|---|
| 需要专门的写入器，擦写器 |
| 既能芯片级擦除，也可实现比特级擦除 |
EPROM和EEPROM对比
- EPROM为单管结构，EEPROM为双管结构
- EEPROM的栅极氧化层比EPROM薄
FLASH
Flash Memory
闪存：沿用了EPROM的单管结构和浮栅 / 热电子注入写入方式，兼备EEPROM的比特级电擦除特性
工作原理
| 特点 |
|---|
| 在计算机内实现擦写，不需要专用擦写器 |
| 同时具备芯片级和比特级数据擦除方式 |
| 功耗低，存储密度高 |
| 适用场合 |
|---|
| U盘 |
| SSD |
闪存也存在损坏的问题，通常是通过禁用已损坏的单元，缩小可用空间的方法来解决
ROM芯片和RAM芯片对比
- ROM没有WE*信号
- ROM增加了高压输入引脚和编程脉冲两个写入信号（用于专用写入器）
