SDRAM工作原理与控制方法
同步动态随机存储器（synchronous dynamic random access memory）。
同步是指 mem工作需要同步时钟，内部的命令发送与数据传输都以该时钟信号为基准；
动态是指 存储阵列需要不断刷新使数据不丢失，周期性地给电容单元充电；
随机是指 数据不是线性依次存储，而是自由指定地址读写操作；
SDRAM容量 = 数据位宽 * 存储单元数量 （行地址 * 列地址 * Bank数）；
其中，需要在控制模块配置的pin:
clk,cke：工作时钟，片内时钟使能；
~cs,[ba1,ba0]：片选（低有效），块选（bank地址线）；
~ras,~cas,~we：行、列地址有效，写使能；可以输入初始化、读、写、自动充电等命令；
[a11,a0]：地址输入；row地址使用12位线，col地址使用低9位线；
[dq15,dq0]：双向数据I/O；
udqm,ldqm：数据I/O掩码；
注意：（1）a10复用作auto-fresh标志位。
（2）掩码（udqm,ldqm）的作用：假设数据线有16根，也就是说明数据的位数可以达到16位，但是使用SDRAM的时候，也许在向SDRAM写数据的时候，生成的数据只有 8位，但FPGA是与SDRAM的16根数据线连在一起的，这个时候，存到SDRAM中的数据还是16位的，所以为了避免这个问题，就可以使用掩码来屏蔽掉高8位了。当然 掩码在读数据的时候起到的作用也是类似的。
。。。。。。。。。。。。。。。待续。。。2017-05-13。。。
SDRAM内部状态跳转图 ↓
粗黑线表示在该状态下会自动跳转到另一个状态，细黑线表示需要给命令才会跳转。
SDRAM初始化操作时序 ↓
SDRAM最开始的状态“POWER ON”，是刚上电的状态。在“POWER ON”状态给‘Precharge’命令之后就会跳转到“Precharge”状态，然后自动跳转至“IDLE”状态。在“IDLE”状态下，给SDRAM两次Auto-refresh命令，接着需要进行模式寄存器设置，对模式寄存器设计完毕之后，初始化过程就结束了。
--未完--
SDRAM写操作时序 ↓
状态转移图中，初始化完成之后，对SDRAM进行读或者写操作之前，需要有一个命令”ACT”（这个命令在初始化时序图中也出现了），这个命令的意思是”行有效”命令，就是让SDRAM中的某一行活动起来，以便进行读或写。
状态转移图中有”WRITE”和”WRITEA”这两个状态，处于这两个状态时，都可以对SDRAM进行写操作，在”WRITEA”状态，每写完一个突发长度的数据之后，SDRAM会自动跳出这个状态进行刷新，而在”WRITE”状态，是需要给相应的指令之后才会跳出”WRITE”状态的，所以为了提高SDRAM的运行速度，一般采用不让SDRAM进入”WRITEA”状态来提高速度。当然”READ”和”READA”这两个状态的区别也是这样的。
在初始化完成后的 “tMRD” 之间之后，给一个”ACT”命令，同时指定是哪一个bank的哪一行，然后再经过 “tRCD”的时间给“WRITE”指令，同时指定是bank地址和列地址并把A10拉低，然后再根据设定好的突发长度将对应数量的数据写进去，这样就完成了写操作。写完四个数据之后，如果我不给SDRAM发任何指令，那SDRAM内部还是处于“WRITE”状态的，如果想让SDRAM进行写，可以在给SDRAM发送写指令，如果此时刷新SDRAM的时间到了，那就必须去执行SDRAM的刷新操作来保证SDRAM的数据不被丢失。
SDRAM读操作时序 ↓
先给“ACT”命令，指定ROW地址和BANK地址，然后在给“READ”指令，经过设定好的潜伏期之后，数据就出来了。在给相关命令的时候，不要忘记其他信号线上的信号。
SDRAM自动刷新操作时序 ↓
SDRAM内部电容保存数据的最长时间是64ms，而我们一个BANK有4096行，64ms/4096～=15us，也就是说为了保证SDRAM内部的数据不被丢失，两次刷新之间的最大时间间隔为15us。
SDRAM每进行一次刷新，是对每一行进行操作的，并不是单独针对每一个电容进行充电，所以每进行一次刷新，该行中的电容进行充电我们可以理解为是同步发生的。
在每次自动刷新时，需要给一个“Precharge”命令，如果此时SDRAM正处于“WRITE”或“READ”状态时，这个“Precharge”命令可以使SDRAM跳出“WRITE”或“READ”状态从而进入“IDLE”状态。接下来，经过“tRP”的时间，给一个“Auto-Refresh”命令。
