沁恒risc-v蓝牙芯片的flash使用注意点
Ⅰ.调用接口方面
①codeflash与dataflash分为两组接口，详见EVT包中的FLASH例程。
codeflash基地址为0。读写codeflash的接口带有内核加解密。擦除flash不涉及加解密；擦除dataflash后读出4字节循环“乱码”是正常的。codeflash最小擦除单位：4096字节。
dataflash基地址为0x70000。读写dataflash的接口自带0x70000的基地址，不带加解密，操作dataflash时只需要关心偏移地址。用户可以进MCU的原厂boot，走ISP工具直接读出dataflash。dataflash最小擦除单位：256字节。
②不论是codeflash还是dataflash，写之前一定要先擦除。dataflash的接口名中带有EEPROM字样，但本质上它还是flash。
③接口中的读/写buff缓存在ram中的地址，一定要4字节对齐，否则可能导致hardfault复位。四字节对齐问题的排查可见博客：CH57x/CH58x/CH32V wch risc-v 芯片hardfault问题追踪&程序卡死追踪 - iot-fan - 博客园 (cnblogs.com)
④擦除flash的起始地址、擦除长度都建议对齐最小擦除单位。由于地址或是长度不对齐，擦除n个单位长度时，会将涉及到的n+1甚至n+2个最小单位全部擦除。
Ⅱ.手册信息，介绍了擦写寿命、单词扇区擦除操作时间。RISC-V内核的CH5Xx蓝牙MCU此处参数相差不大。
Ⅲ.BLE例程中使用到的dataflash区域。注意避开或是在宏定义中重新规划
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Dataflash |
占用长度 |
相关宏定义 |
用途 |
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0 |
12K字节（0x2FFF） |
CONFIG_MESH_NVS_ADDR_DEF等 |
Mesh网络信息 |
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0x7000 |
4字节（0x7003） |
OTA_DATAFLASH_ADD |
OTA升级的标志 |
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0x7E00 |
512字节（0x7FFF） |
BLE_SNV_ADDR等 |
BLE配对绑定信息 |
Ⅳ.操作flash时间开销实测（以CH592为例）
codeflash只支持4096字节“块擦”，不支持“页擦”。dataflash支持256字节“页擦”，也支持4096字节“块擦”。本质上是同一块flash，
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字节数 |
擦除时长(ms) |
写入时长(ms) |
读出时长(us) |
|
1 |
17.14 |
2.2 |
7 |
|
100 |
17.15 |
2.2 |
48 |
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256(1页) |
17.15 |
1.6 |
110 |
|
300 |
34.28 |
3.7 |
127 |
|
500 |
34.27 |
3.7 |
207 |
|
512(2页) |
34.28 |
3.2 |
212 |
|
513 |
51.45 |
5.3 |
212 |
|
4096(1块) |
17.13 |
25.5 |
1.65ms |
|
4096+256(1块+1页) |
34.32 |
27.1 |
1.75ms |
|
4096+300 |
51.44 |
29.2 |
1.76ms |
