关于MounRiver编译器配置的若干问题
一、在工程中单独设置预编译宏
二、将变量存放到指定RAM地址
三、串口打印浮点数
四、添加64位数据处理
五、使用math数学库
六、关闭仿真时自动清dataflash功能
七、配置printf待打印数据不加\n换行
八、修改编译器输出hex文件的位置 RISC-V单片机集成开发环境(IDE) MounRiver Studio 修改hex输出路径 - debugdabiaoge - 博客园 (cnblogs.com)
九、编译器生成bin文件 MRS CH573 CH582生成BIN文件 - debugdabiaoge - 博客园 (cnblogs.com)
十、const修饰的只读数据放在指定flash区域中 Mounriver修改数组地址 - SweetTea_lllpc - 博客园 (cnblogs.com)
十一、v208工程显示编译后占用的flash与ram大小 RISC-V MCU IDE MRS(MounRiver Studio)开发之： 编译后打印FLASH及RAM使用占比信息_MounRiver_Studio的博客-CSDN博客_mounriver studio flash size
十二、V208工程跑仿真会进hardfault，增大仿真支持的代码大小
十三、MRS中查看每个函数编译后占用的codeflash大小
十四、修改MRS界面的UI图标大小
十五、取消对未使用的“highcode”修饰函数的编译
一、为了减小EVT大小，沁恒官方整合了一些文件作为公共文件，由多个工程共同使用。比如说调试BLE例程和蓝牙mesh例程时，有config.h这个文件，直接在该文件中修改宏，会影响到很多工程。可以在右键工程名->中设置宏定义，只针对这一个工程配置宏。比如说我在某工程中加一个HAL_SLEEP宏置1，见下图。
配置好之后，该工程config头文件中的HAL_SLEEP宏会变成灰色，表示此处的宏不生效，以工程配置中的编译预处理为准。
二、若要指定变量在某个RAM地址，需要在同①的右键工程名->Properties配置中添加一行代码，在Linker flags中加入--section-start=.XXX=RAM中的起始地址，XXX为地址名，如下图。在582芯片中，这个值要大一点，前面部分RAM在其他特定的地方有用到，当然也不能超过582RAM的最大值32K。笔者这里用0x20001000，编译后是可以运行的。此方法同样适用于指定codeflash中的起始地址，存放const修饰的固定数组。RAM的基地址为0x20000000，CODEFALSH的基地址为0x00000000。
注意：此方法会导致编译后的hex大小偏大，但ISP工具烧录时做了剪裁故不受影响。
在定义变量时使用__attribute__((section(".XXX")))修饰一下，如下图。即使此处赋了初始值，实际分配的值仍是随机值，需要在程序中再赋一下值。此值在RAM保持，不会受到按键复位的影响，但断电丢失。
编译之后可以在工程的obj文件夹下的.map文件中找到地址映射的位置，如下图。
三、沁恒目前的57x、58x系列蓝牙芯片，均不支持硬件浮点运算，不过默认是支持硬件整型程序和软件浮点运算的。软件浮点运算可以直接计算和使用，只是默认设置直接printf打印，是打印不出来的。若要打印浮点数，需要在右键工程名->Properties配置，在下图位置，勾选一下打印库的选项，二选一。使用的库相比之前多了，根据选择的库不同，会占用相应的更多的flash和ram。勾选后点击Apply应用以及Apply and Close应用并关闭，确保配置成功保存。注意这两个库不要与wchprintf一起勾选，可能会无法打印。如果既要能打印浮点数，又要能不加\n换行，勾选一个wchprintfloat即可。
框选前↓
1框选后↓
2框选后↓
还有一种方法，按②中的操作，去掉勾选，使用完整库，也能打印浮点型，但是库大了很多，不推荐。②例中库增量比较小是由于②中没有涉及到float类型的运算。
四、582默认使用32位运算，若想使用64位运算，可以在右键工程名->Properties配置中，去掉下图中的勾选来实现。从nano库改为完整大小的库，使用的库变大而占用更多的flash和ram。
去掉框选前↓
去掉框选后↓
五、若要使用数学公式，在包含了math.h之后，还需要增加下math库。右键工程名->Properties配置，在下图Libraries中，添加math库的简写m即可。
六、使用WCH-LINK仿真时，默认是清空所有flash的，需要在debug configurations中针对仿真的工程添加一行配置，在运行仿真时不会自动清空flash。
-c page_erase
七、默认情况配置下使用printf函数，需要在待打印的字符串后加\n换行，串口助手中才会显示全部数据，否则将会缓存一块数据，满了再全部输出打印。可以在右键工程名->Properties配置中，勾选下方的库，这样可以不用换行符，直接打印数据。注意wchprintf不要与(三)中的两个库一起勾选，可能会无法打印。如果既要能打印浮点数，又要能不加\n换行，勾选一个wchprintfloat即可。
八、修改编译器输出hex文件的位置 RISC-V单片机集成开发环境(IDE) MounRiver Studio 修改hex输出路径 - debugdabiaoge - 博客园 (cnblogs.com)
九、编译器生成bin文件 MRS CH573 CH582生成BIN文件 - debugdabiaoge - 博客园 (cnblogs.com)
十、const修饰的只读数据放在指定flash区域中 Mounriver修改数组地址 - SweetTea_lllpc - 博客园 (cnblogs.com)
十一、v208工程显示编译后占用的flash与ram大小 RISC-V MCU IDE MRS(MounRiver Studio)开发之： 编译后打印FLASH及RAM使用占比信息_MounRiver_Studio的博客-CSDN博客_mounriver studio flash size
十二、v208工程跑仿真会进hardfault，增大仿真支持的代码大小
如图添加两行代码
-c init
-c "wch_riscv unfreeze"
十三、MRS中查看每个函数编译后占用的codeflash大小
十四、修改MRS界面的UI图标大小
十五、取消对未使用的“highcode”修饰函数的编译
通常配置下，当一个.c源文件中，有某个函数被工程使用到，那么这个源文件中所有被“highcode”修饰过的函数，都会被加入编译，占用ram/flash资源。
如：BLE工程中，启用了HAL_SLEEP宏定义后，StdPeriphDriver文件夹下的xxx_pwr.c源文件中，void LowPower_Sleep(uint16_t rm)函数会被用于sleep休眠；但还有部分函数被highcode修饰，比如说void LowPower_Halt(void)函数，工程中实际没有被调用，其也会占用ram/flash资源。
增加下方勾选，可规避该问题。
