Memory Bist

• SRAMC主要是对SRAM进行控制
• 对于SRAM的逻辑,根据地址将数据存储到SRAM中,然后根据地址将SRAM中的数据读取出来
  如何测试Memory,生产工艺原因造成的问题，采用DFT或者Bist测试方法
• DFT - 在代码中加入测试逻辑,之后通过这部分逻辑对芯片进行测试
  

What is manufacturing test?

• 芯片在FAB生产之后,会有错误,通过ATE基台进行测试,打入信号,检查输出信号是否正确

What is a physical defect?

• 物理缺陷(失效) - 与门、或门、非门、线路出现问题,晶体管常开或者是氧化层开洞
• short Circuit - 短路
• open Circuit - 开路
• DFT - 可观测性和可控性，覆盖率比较高的时候，可以认为所有的寄存器都被观测到

CMOS Inverter Layout

• 红色的是金属层

Stuck-at fault model

• SA1 - 短接到1，或非门短接到1，输出都是0
• SA1 - 与门短接到地，不管输入如何变化，输出都是0
• 对于Standcesll,通过插入的Scan chain，输出错误表示芯片有问题

Soc中的DFT和BIST

• 一个Soc中有很多memory，通过IO连在一起进行测试是不可行的，对于布线压力很大。
• 对Memory进行测试，借助读写逻辑，借助状态机，设置一个模块嵌在memory中，进行测试。

含DFT设计的流程

• 不插入扫描链的寄存器都是普通的寄存器,插入扫描链之后的寄存器都被替换为插入扫描链的寄存器
  
• 插入DFT逻辑在寄存器之前加mux,通过mux进行function mode和test mode进行选择
• DFT也是一种设计,添加mux会增加面积
  

嵌入式Memory的测试方法

• CPU进行测试,需要一个Memory一个Memory进行测试,效率比较低
• CPU在测试Memory,因为Memory的的深度不同,软件复用性差

MBIST概述

MBIST架构

MBIST实现与EDA工具

• 通常MBIST逻辑由EDA工具生成

March算法

• 复杂度主要是时间复杂度

March算法的硬件实现