GMID方法基本模块设计

本征增益共源级ICS模型

下图是理想本征增益共源级ICS的小信号电路，可以从中得到关于GMID方法设计的一些基本参数定义。

image-20200821155725823

  • 传递函数特性：

    该系统的传递函数如下所示

    \[A_{V}(j\omega)={V_{out}\over{V_{in}}}\approxeq{A_{V0}\over{1+j{\omega\over{\omega_c}}}}\tag{1.1} \]

    \[A_{V0}=-{g_m\over g_{ds}}\tag{1.2} \]

    \[\omega_c={g_{ds}\over{C_L}}\tag{1.3} \]

    其中，\(\omega_c\)是系统的转角频率(Corner Frequency)，也称为-3dB带宽。另一个重要的参数是单位增益带宽，写作\(\omega_u\)，表示系统传递函数增益下降到0dB时的带宽。

    \[\omega_u\approxeq{g_m\over C_L}\tag{1.4} \]

  • 扇出：

    扇出是一个常用在数字逻辑中的概念，写作\(FO\)，它表示的是系统驱动的输出等效电容和系统输入电容的比值。\(FO\)相当于以一种归一化的形式表示了系统的负载电容，并且在系统中负载常常为另一晶体管。由于在设计过程中，所有器件的大小常常同时放大或缩小，因此可以用\(FO\)变化不大。

    在之后的设计中，\(FO\)可以用来表示\(GBW\)、偏置电流、噪声等参数之间的折衷。本征增益共源级ICS的\(FO\)可以表示为

    \[FO={C_L\over{C_{gs}+C_{gb}+C_{gd}}}={C_L\over C_{gg}}\tag{1.5} \]

    也可以表示为

    \[FO={C_L\over C_{gg}}={g_m/C_{gg}\over{g_m/C_L}}={f_T\over f_u}\tag{1.6} \]

    当\(f_u>(1/10)f_T\)时模型精确度会大大降低，因此在设计中一般令\(FO\geq10\)。

    注：在系统输入电容计算时应该会考虑\(C_{gd}\)的密勒效应，但由于增益\(A_{V}(j\omega)\)在高频时会下降，因此使用公式\((1.5)\)有效而简单的等效。

本征增益共源级ICS设计

  • 常规设计：(偏置在强反型区或中等反型区)

    常规的设计中常常是以\(g_m/I_D\)为”旋钮“来调节带宽、增益、噪声等关系的折衷。一般的设计步骤为

    1. 根据指标要求确定\(g_m\)；
    2. 选择所需的\(L\)：
      • 短沟道：高速、小面积；
      • 长沟道：高本征增益、良好的匹配…；
    3. 选择合适的\(g_m/I_D\)：
      • 大的\(g_m/I_D\)：低功耗、大信号摆幅(\(g_m/I_D\)和\(V_{Dsat}\)成反比)；
      • 小的\(g_m/I_D\)：高速、小面积；
    4. 找到电流密度\(J_D=(I_D/W)\)；
    5. 找到管子宽度\(W\)。

    设计实例1：

    设计IGS，其中\(C_L=1pF\)且\(f_u=1GHz\)。找到合适的\(g_m/I_D\)和\(L\)，使得低频增益最大；

    假设\(FO=10\)、\(V_{DS}=0.6V\)、\(V_{SB}=0V\)，并通过仿真软件验证结果

    由该题目写出的 Matlab程序如下

    %载入数据
nch = load('D:\Personal\Desktop\GmId\180tmsc_nch_27_tt.mat');
pch = load('D:\Personal\Desktop\GmId\180tmsc_pch_27_tt.mat');
%确定扫描维度L和gm/ID
L = nch.L;
gmid = 1:0.2:25;
%输入设计条件
CL = 1e-12; fu = 500e6; FO = 10;
VDS = 0.9; VSB = 0;
%找到符合fu的gm/ID值
for i = 1: length(L)
    Ln = L(i);
    de.fu(:,i) = look_up(nch, 'GM_CGG', 'GM_ID', gmid, 'VDS',...
        VDS, 'VSB', VSB, 'L', Ln)/2/pi/FO;
    de.gmidfu(:,i) = gmid'.*(de.fu(:,i)>fu);
    de.av(:,i) = look_up(nch, 'GM_GDS', 'GM_ID', de.gmidfu(:,i), 'VDS',...
        VDS, 'VSB', VSB, 'L', Ln);
    de.maxav(:,i) = max(de.av(:,i));
    de.maxgmid(:,i) = max(de.gmidfu(:,i));
end
%画出满足fu要求且gmid最大时，gmid、Av和L的关系图
semilogy(L, de.maxgmid, 'LineStyle', '--','DisplayName','gm/ID');
hold on;
semilogy(L, de.maxav, 'LineStyle', '-','DisplayName','av');
%找到最大增益的L和gmid
[x,y] = find(de.av==max(de.maxav));
fin.L = L(y);
fin.gmid = gmid(x);
%计算出管子的W
fin.gm = fu*CL*2*pi;
fin.ID = fin.gm/fin.gmid;
de.Jd =  look_up(nch, 'ID_W', 'GM_ID', fin.gmid, 'VDS',...
        VDS, 'VSB', VSB, 'L', fin.L);
fin.W = fin.ID/de.Jd;
fin.VGS = look_upVGS(nch, 'GM_ID', fin.gmid, 'VDS',...
        VDS, 'VSB', VSB, 'L', fin.L);
fin.VDS = VDS; fin.VSB = VSB;
fin.Av = look_up(nch, 'GM_GDS', 'GM_ID', fin.gmid, 'VDS',...
        VDS, 'VSB', VSB, 'L', fin.L); 
fin.fu = fu;
fin.Av_dB = db20(fin.Av);
clearvars -EXCEPT nch pch fin

    此时设计出的参数都存储在了结构fin中，查看fin的信息可知

  fin = 
  包含以下字段的 struct:
          L: 0.3800
       gmid: 14
         gm: 0.0031
         ID: 2.2440e-04
          W: 58.5652
        VGS: 0.5583
        VDS: 0.9000
        VSB: 0
         Av: 131.3310
         fu: 500000000
      Av_dB: 42.3673

验证：在Linux中使用Virtuoso进行了验证，将\(L\)、\(W\)、\(VGS\)、\(VDS\)代入电路图中。

注意：版图参数也会影响仿真结果，可以尝试宽度\(W=2\mu m\)，增加\(Finger\)

仿真结果如下所示，可以看到VGS、电流、增益基本在目标上。而GBW误差较大，

gmid1Av gmid1para
Ac仿真 Dc仿真

自负载电容Cdd对GBW的影响

  • 在设计过程中，关于输出节点的电容我们只考虑了负载电容，而没有考虑MOS管自身的寄生电容。在大\(g_m\)或者大的器件宽度时，寄生电容可能会引起超过6.7%的误差。

    将寄生电容也加进负载中的小信号模型为

    image-20200828153847539

    其中\(C_{dd}=C_{db}+C_{gd}\)是MOS管寄生电容的等效负载。

    若在设计中考虑\(C_{dd}\)的影响，可以使用迭代的方式：

    1. 假设\(C_{dd}=0\)；
    2. 利用\(GBW\)指标和\(C_L+C_{dd}\)计算出管子参数；
    3. 计算当前设计的\(C_{dd}\)；
    4. 回到第二步将\(C_{dd}\)带入开始迭代；
    5. 重复该过程直到\(GBW\)符合要求。

实际CS设计

实际的共源级不会是理想电流源负载，而是有真正的负载，例如电阻、电流镜等。这一节学习如何设计实际的CS级。

有源负载CS

image-20200830111631908

理想电流源被替换为了电流镜负载，因此输出电阻成为两个管子的并联，会减小。因此低频增益会减小，但增益带宽积变化不大，因为单位增益带宽约为\(f_u=g_{m1}/C_L\)(假设管子寄生远小于\(C_L\))。

  • 设计自由度：由于单位增益带宽的要求，M1已经决定了M2的电流。对于M2我们只能设计它的\(g_m/I_D\)值和沟道长度\(L\)。

  • 低频增益：该电路的低频增益由以下公式得到

    \[A_{V0}=-{g_{m1}\over{g_{ds1}+g_{gs2}}}=-{({g_m\over I_D})_1\over{({g_{ds}\over{I_D}})_1+({g_{ds}\over{I_D}})_2}}=-{({g_m\over{I_D}})_1\over{{1\over{V_{EA1}}}+{1\over{V_{EA2}}}}}\tag{2.1} \]

    其中\(1/V_{EA}\)为当前器件的厄利电压。当两个MOS管厄利电压相等时，相比理想电流源负载，增益减小了约50%。并且可以通过提高\(V_{EA2}\)或减小\((g_{ds2}/I_D)\)的方式来提高增益。

  • 电流镜参数的选择：

    image-20200830153027924

    上图显示了电流镜\((g_{ds}/I_D)\)和\((g_m/I_D)\)之间的关系。可以看出，电流镜\((g_m/I_D)\)较小时\((g_{ds}/I_D)\)也才比较小。但由于\({g_m/{I_D}}={2/{V_{ov}}}\)，，当\(g_m/I_D=5\)时，\(V_{ov}=400mV\)，因此为了保证合适的电压摆幅，\(g_m/I_D\)的值不能太小，可以取在10附近。

    但电流镜的长度\(L\)选择并不清楚，更大的\(L\)会增加增益，但会带来更大的寄生电容。因此\(L\)的选择存在折衷关系，在后面慢慢解决。

  • 设计实例：

    \(f_u=1GHz\)，\(C_L=1pF\)，\(FO=10\)，\(V_{DD}=1.8\)，输出共模电压\(V_{out}=V_{DD}/2=0.9\)，令\((g_{m}/I_D)_2=10\ S/A\)，考虑电流镜\(L\)对电路的影响。

    matlab程序如下

    clear all
% 载入数据库
load('/home/harroy/Workspace/Gmid_Design/Database/180tmsc_nch_27_tt.mat');
load('/home/harroy/Workspace/Gmid_Design/Database/180tmsc_pch_27_tt.mat');
% 输入设计条件
p.CL = 1e-12; p.fu = 0.5e9; p.FO = 10;
p.VDS = 0.9; p.VSB = 0;
% 确定输入NMOS管的扫描L
p.L = 0.18:0.02:1;
% 根据FO和fu确定输入管的gmid
de.gmid1 = look_up(nch, 'GM_ID', 'GM_CGG', 2*pi*p.fu*p.FO,  ...
    'VDS', p.VDS, 'VSB', p.VSB, 'L', p.L);
de.gdsid1 = diag(look_up(nch, 'GDS_ID', 'GM_ID', de.gmid1, ...
    'VDS', p.VDS, 'VSB', p.VSB, 'L', p.L));
% 扫描负载管L，确定最大增益
de.gmid2 = 10;
de.L2 = 0.2:0.1:2;
for i = 1:length(de.L2)
    de.gdsid2(i) = look_up(pch, 'GDS_ID', 'GM_ID', de.gmid2, 'L', de.L2(i));
    de.Av(:,i) = de.gmid1./(de.gdsid1 + de.gdsid2(i));
end
[a,b] = max(de.Av);
de.Avmax = a';
% 迭代计算MOS自负载电容对fu的影响
de.Cself = 0;
for i = 1:5
    de.gm1 = 2*pi*p.fu.*(p.CL+ de.Cself);
    de.ID = de.gm1./de.gmid1(b);
    de.W1 = de.ID./diag(look_up(nch, 'ID_W', 'GM_ID', de.gmid1(b), 'L', p.L(b)));
    de.Cdd1 = de.W1.*diag(look_up(nch, 'CDD_W', 'GM_ID', de.gmid1(b), 'L', p.L(b)));
    de.W2 = de.ID./look_up(pch, 'ID_W', 'GM_ID', de.gmid2, 'L', de.L2);
    de.Cdd2 = de.W2.*look_up(pch, 'CDD_W', 'GM_ID', de.gmid2, 'L', de.L2);
    de.Cself = de.Cdd1 + de.Cdd2;
end
% 输出结果，保存于结构fin中
fin.L2 = 0.5;
de.index1 = find(de.L2==fin.L2);
fin.gm1 = de.gm1(de.index1);
fin.gmid1 = de.gmid1(b(de.index1));
fin.ID = de.ID(de.index1);
fin.W1 = de.W1(de.index1);
fin.L1 = p.L(b(de.index1));
fin.W2 = de.W2(de.index1);
fin.Av = de.Avmax(de.index1);
fin.fu = p.fu;
fin.VGS1 = look_upVGS(nch, 'GM_ID', fin.gmid1, 'VDS',...
        p.VDS, 'VSB', p.VSB, 'L', fin.L1);
fin.VGS2 = look_upVGS(nch, 'GM_ID', de.gmid2, 'L', fin.L2);
fin.gds1 = fin.ID*de.gdsid1(b(de.index1));
fin.gds2 = fin.ID*de.gdsid2;

    此时得到的设计结果为

    fin = 
  包含以下字段的 struct:
       Ln: 0.3000
       Lp: 0.5000
       Wn: 58.5373
       Wp: 144.9534
    gmidn: 14.8066
    gmidp: 10
       ID: 2.4933e-4
      gmn: 0.0037
       Av: 65.8323
       fu: 500e6
    Cself: 175.17e-15
     VGSn: 0.5493
     VGSp: 0.6393
     gdsn: 3.2968e-5
     gdsp: 2.3109e-5

    使用Spectre验证\(L=0.5\mu m\)时的系统指标。

    指标 仿真结果
    Av 64.9583
    fu 487 MHz
    Cload 1.19179 pF
    gmn 3.6686 mS

    可以看到，即使考虑自负载电容，增益带宽积依然存在误差，观察发现很可能是数据库中的Cdd电容存在一定误差，建议根据仿真结果手动添加补偿电容到设计程序中。

有源负载CS大信号仿真

gmid数据库同样能够预测系统的大信号特征。

  • 设计实例：

    以上文设计的有源负载CS放大器为例，仿真出该系统的大信号特性。

matlab程序如下：

% 完成上一个设计
ActiveGS_ex1;
% 设置扫描的输出信号VDS
VDD = 1.8;
VDSn = 0.05:0.01:1.8;
% 找到不同VDS下的电流值
IDn = fin.W1*look_up(nch,'ID_W','VGS',nch.VGS,'VDS',VDSn,'L',fin.L1)';
IDp = fin.W2*look_up(pch,'ID_W','VGS',fin.VGS2,'VDS',VDD-VDSn,'L',fin.L2);
% 根据电流相等来插值搜索输入信号VGS
for i = 1:length(VDSn)
    VGSn (:,i) = interp1(IDn(i, :), nch.VGS, IDp(i));
end
% 画图
plot(VGSn, VDSn);
hold on
plot(VGSn, (VDD-(2*(1/de.gmid2)))* ones(1,length(VGSn)),'LineStyle','--');
plot(VGSn, (2*(1/fin.gmid1)* ones(1,length(VGSn))),'LineStyle','--');

仿真结果对比

Matlab Spectre
image-20200913163629461 ActiveCS_LargeSig

可以看出Matlab的仿真结果在Spectre得到了很好的验证。

电阻负载CS

  • 低频增益：

    \[A_{v0}=-{g_{m1}\over{g_{ds}+{1\over{R}}}}=-{({g_m\over{I_D}})_1\over{({g_{ds}\over{I_D}})_1+{1\over{I_DR}}}}=-{({g_m\over{I_D}})_1\over{1\over{V_{EA}}}+{1\over{I_DR}}}\tag{4.1} \]

    实际设计中\(I_DR<<V_{EA}\)常常满足，因此增益可以简写为：

    \[A_{v0}\approx -({g_m\over{I_D}})_1I_DR\tag{4.2} \]

  • 输出摆幅：

    已知\(g_m/I_D=2/V_{ov}\)，则当MOS偏置在强反型区(\(g_m/I_D\)较小)时，MOS的VDS可能会很接近Vov，导致输出信号摆幅很小。因此设计时\(g_m/I_D\)常常比较大。

  • 设计实例：

    CL=1pF，fu=500MHz，VDD=1.8V和FO=10。找到低频增益最大时的VDS、R和L。

% 载入数据
clear all
load('D:\Personal\Desktop\GmId\180tmsc_nch_27_tt.mat');
load('D:\Personal\Desktop\GmId\180tmsc_pch_27_tt.mat');
% 配置参数和扫描变量L、VDS
p.CL = 1e-12; p.fu = 0.5e9; p.FO = 10;
p.VSB = 0; p.VDS = 0.1:0.05:1.2;
p.VDD = 1.8; p.L = nch.L;
% 通过两个变量扫描出gmid和gdsid的二维数组
for i = 1:length(p.VDS)
    gmid(:,i) = look_up(nch, 'GM_ID', 'GM_CGG', 2*pi*p.FO*p.fu, ...
        'VDS', p.VDS(i), 'L', p.L);
    gdsid(:,i) = look_up(nch, 'GDS_ID', 'GM_CGG', 2*pi*p.FO*p.fu, ...
        'VDS', p.VDS(i), 'L', p.L);
end
% 计算并找到最大增益下的gmid、L、VDS
Avor = gmid./(gdsid+ 1./ (p.VDD-p.VDS(ones(length(p.L),1),:)));
[a,b] = max(Avor);
[c,d] = max(a);
fin.Avmax = c;
fin.L = p.L(b(d));
fin.VDS = p.VDS(d);
fin.gmid = gmid(b(d),d);
% 考虑自负载电容的影响
JD = look_up(nch, 'ID_W', 'GM_ID', fin.gmid, ...
        'VDS', fin.VDS, 'L', fin.L);
Cdd_W = look_up(nch, 'CDD_W', 'GM_ID', fin.gmid, ...
        'VDS', fin.VDS, 'L', fin.L);
fin.Cdd = 0;
for i = 1:5
    fin.gm = 2*pi*p.fu*(p.CL+ fin.Cdd);
    fin.ID = fin.gm/fin.gmid;
    fin.W = fin.ID/JD;
    fin.Cdd = fin.W*Cdd_W;
end
fin.R = (p.VDD - fin.VDS)/fin.ID;
fin.VGS = look_upVGS(nch, 'GM_ID', fin.gmid, ...
        'VDS', fin.VDS, 'L', fin.L);

仿真对比结果如下

参数 Matlab Spectre
L(nm) 220 -
W(\(\mu\)m) 74.4167 74
VDS(mV) 500 499
gmID(S/A) 18.0333 18.0293
ID(\(\mu\)A) 185.91 185
|Av|(V/V) 16.1128 16.0496
VGS(mV) 499.8 -
fu(MHz) 500 491
R(k\(\Omega\)) 6.9926 7.03

从结果发现GBW还是存在一些差距，主要还是Cdd在数据库中的表现不太完善，师兄提到在漏极看到的电容除了Cdd以外应该还有Cjd。并且在电路实现时还会进行一些微调来保证偏置正确。

差分对设计

差分对时模拟设计中最关键的模块。和IGS、CS不同，差分对的gm由尾电流源决定，而和栅极电压无关。

  • 理想差分对设计实例：

    有一个理想电流源偏置的差分对，其中CL=1 pF、fu=500 MHz、VDD=1.8 V、gm/ID=15 S/A、L=180 nm；输入共模信号VIC=0.9 V，输出共模信号被CMFB钳制在1V。设计电路。

% 载入数据库
clear all
load('D:\Personal\Desktop\GmId\180tmsc_nch_27_tt.mat');
load('D:\Personal\Desktop\GmId\180tmsc_pch_27_tt.mat');
% 输入参数
CL = 1e-12; fu = 0.5e9; gmid = 15; L = 0.18;
VIC = 0.9; VOC = 1;
% 根据偏置限制求得管子参数信息
VGS = look_upVGS(nch, 'GM_ID', gmid, 'VDB', VOC, ...
    'VGB', VIC);
VSB = VIC - VGS;
JD = look_up(nch, 'ID_W', 'GM_ID', gmid, 'VSB', VSB, ...
    'VDS', VOC-VSB);
gdsid = look_up(nch, 'GDS_ID', 'GM_ID', gmid, 'VSB', VSB, ...
    'VDS', VOC-VSB);
Av = gmid/gdsid;
% 迭代计算自负载电容的影响
Cdd = 0;
for i = 1:5
    gm = 2*pi*fu*CL;
    ID = gm/ gmid;
    Cdd_W = look_up(nch, 'CDD_W', 'GM_ID', gmid, 'VSB', VSB, ...
    'VDS', VOC-VSB);
    W = ID / JD;
    Cdd = W * Cdd_W;
end

仿真结果对比如下

参数 Matlab Spectre
gmid(S/A) 15 15.08
ID(\(\mu\)A) 429.46 429.5
gm(mS) 3.2 3.239
W(\(\mu\)m) 30.46 31
L(nm) 180 -
GBW(MHz) 500 495.12
|Av|(V/V) 31.3737 31.4123

  • 5管OTA设计：

    fu > 100MHz、CL=1 pF、VIC=0.9 V、VDD=1.8 V。尾电流源是理想电流源。设计电路。

令FO=20，预留更多裕度。同时gmIDp=10，以获得摆幅和增益上的折衷。得到的Matlab程序为

% 载入数据库
clear all
load('D:\Personal\Desktop\GmId\180tmsc_nch_27_tt.mat');
load('D:\Personal\Desktop\GmId\180tmsc_pch_27_tt.mat');
% 载入参数和扫描变量
CL = 1e-12; fu = 0.1e9;
VIC = 0.9;  FO = 20;
Ln = 0.18:0.02:2;
Lp = 0.2:0.1:0.8;
gmidp = 10;
% 找到满足fu条件下的增益的最大值
gmidn = look_up(nch, 'GM_ID', 'GM_CGG', fu*FO*2*pi, ...
    'VGB', 0.9,'L', Ln);
gdsidn = diag(look_up(pch, 'GDS_ID', 'GM_ID', gmidn, ...
    'VGB', 0.9, 'L', Ln));
for i = 1:length(Lp)
    gdsidp(:,i) = look_up(pch, 'GDS_ID', 'GM_ID', gmidp, ...
        'L', Lp(i));
    Av(:,i) = gmidn./(gdsidn +gdsidp(:,i));
end
[Av_Lp, Ind_Lp] = max(Av);
[Avmax, Ind_Ln] = max(Av_Lp);
% 将最大增益时的所有参数存储起来
fin.gmIDn = gmidn(Ind_Lp(Ind_Ln)); fin.Ln = Ln(Ind_Lp(Ind_Ln));
fin.gmIDp = gmidp; fin.Lp = Lp(Ind_Ln); fin.Av = Avmax;
fin.VGSn = look_upVGS(nch, 'GM_ID', fin.gmIDn, 'L', fin.Ln);
VGSpl = look_upVGS(pch, 'GM_ID', fin.gmIDp, 'L', fin.Lp);
fin.VGSp = look_upVGS(pch, 'GM_ID', fin.gmIDp, 'VDS', VGSpl, 'L', fin.Lp);
JDn = look_up(nch, 'ID_W', 'GM_ID', fin.gmIDn, ...
    'L', fin.Ln);
JDp = look_up(pch, 'ID_W', 'GM_ID', fin.gmIDp, ...
      'L', fin.Lp);
% 迭代自负载电容的影响
fin.Cload = 0;
for i = 1:5
    fin.gmn = 2*pi*fu*(CL + fin.Cload);
    fin.IDsin = fin.gmn/ fin.gmIDn;
    fin.Wn = fin.IDsin / JDn;
    Cdd_Wn = look_up(nch, 'CDD_W', 'GM_ID', fin.gmIDn, ...
        'L', fin.Ln);
    Cddn = fin.Wn * Cdd_Wn;
    fin.Wp = fin.IDsin / JDp;
    Cdd_Wp = look_up(pch, 'CDD_W', 'GM_ID', fin.gmIDp, ...
         'L', fin.Ln);
     Cddp = fin.Wp * Cdd_Wp;
    fin.Cload = Cddn + Cddp;
end
fin.IDtot = fin.IDsin * 2;
fin.gdsn = fin.IDsin/ gdsidn(Ind_Lp(Ind_Ln));
fin.gdsp = fin.IDsin/ gdsidp(Ind_Ln);

下面是结果对比

参数 Matlab Spectre
gmIDn(S/A) 18.1092 18.0304
Lp(nm) 800 -
Ln(nm) 360 -
Wn(\(\mu\)m) 25.75 26
Wp(\(\mu\)m) 34.77 34
IDtotal(\(\mu\)A) 72.96 73
GBW(MHz) 100 90.4
Av(V/V) 88.7354 88.6612

总结

本文总结了使用Gmid进行设计的基本方法。基本原则是先根据条件(例如最大增益、GBW要求)寻找合适的gmID值，再通过迭代计算自负载效应对GBW的影响，最后得到系统的所有参数。gmID同时可以模拟大信号特性，一般做法是通过电流相等来寻找VGS。后面的设计中会将噪声的影响考虑进来，同时会进行一个完整的运放设计，敬请期待！

posted @ 2020-09-14 22:10  Harroy  阅读(3260)  评论(0)  编辑  收藏  举报