1. 当设定突发长度是一页时， 一页指的是多少？

答：一页指的是一个bank的所有列，比如一个bank 是256列， 那么一页就代表突发长度是256个，也就是 完整的一行。

 

2. 为什么自动刷新的周期是64ms除以一个bank 的所有行数？自动刷新都有哪些进行方式？

答：因为存储体中电容的数据有效保存期上限是64ms，因此要保证至少每隔64ms要将所有bank刷新完。这里不是一个自动刷新操作的耗时时间为64ms，一个自动刷新操作的耗时看datasheet, 有的是9个时钟周期，如果时钟是100M，那么一个自动刷新命令要执行的周期是90ns。

 假如一个SDRAM 有4个bank，行地址是12bit， 那么一个bank就有4096行（2的12次方），每一次给一个自动刷新命令时， 所有bank 的 同一行地址都进行刷新（如果有4个bank， 那么同时四个bank 的同一行也就是有四个行同时进行刷新）。刷新命令一次仅对一行有效，每刷新一行都要发送一次自动刷新的命令，所以刷新完整个SDRAM 需要发送4096次自动刷新命令。每次执行完自动刷新命令 行地址计数器自动增1，为下次刷新命令作用的行做准备。

SDRAM 的刷新操作是周期性的，在两次刷新的间隔可以进行数据的相关操作。每次自动刷新操作之间的时间间隔不一定要均匀分布。

  • 自动刷新可以是在某个集中时间段将所有行都刷新一次，也就是一次性刷新完（时间t），然后在（64ms - 时间t）的空隙里可进行读写操作，经过64ms以后，又进行新的一轮刷新。
  • 也可以是在 每隔 64ms/4096=15625ns 时间刷新一次，一次刷新操作是9个时钟周期，剩余的时间（1562个周期-9个周期）空隙可进行读写操作。
  • 也可以是先等待读写，读写完了再刷新，保证能在64ms内的某个时间 对所有bank 都进行了刷新操作即可。

 

 3. 那如果是在写的时刻却到了该刷新的操作该怎么办？ 

肯定不能在写的时候进行刷新动作，这样会引起数据丢失。 但比如采用突发模式是一页，在刷新操作要进行的前一拍 却进入了写操作，那么这个刷新操作要等待256（一页的长度）+ 激活时间 + 预充电时间 才能进行，那怎么办呢？

为了简化设计，可以这样调整：

因为刷新4096行是要求在15625ns 时间内就刷新一次。我们可以将刷新间隔改为15625ns - 256（一页的长度）- 激活时间 - 预充电时间 ），如果时钟周期是100M， 那么这个刷新间隔大概是1300个时钟周期。每次计数器计数到1300时间就进行一次刷新，如果遇到写的状态，则等待变为idle状态以后再执行自动刷新的操作。

这样设计的话，最长的刷新等待时间是刚计数到1300时遇到写，此时要等待1300+256+激活时间 + 预充电时间 小于1562个时钟周期，这个等待的时间是在时序要求内的。

那有人会问改成1300个周期作为刷新间隔是否会很浪费电，是，不过这个在可以接受的范围。

 

4.自动刷新（ Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）以及预充电（Precharge）有什么区别？

答： 可以参考 https://www.sohu.com/a/126626646_463982

 

4.为什么在激活命令的时候给了bank地址， 在写操作的时候还要给bank 地址呢？

 答： 命令的时序是这样设计的。

可能是为了避免好几个bank 的不同行 被激活了 同时在使用时  ，这时候为了不混淆不同bank 的行， 所以读写的时候 也要带上bank 地址，防止冲突产生（这是我自己的思考，还没有得到证实）

关于SDRAM 写时序的相关问题

 

5. 关于SDRAM 读时序的相关问题