摘要： 注明来自 http://www.ssdfans.com/?p=1941 这里说的CT，不是医院里面的CT，而是闪存的一种技术：Charge Trap。 闪存不只有Floating Gate，还有Charge Trap。 浮栅极材料是导体，一般为多晶硅。 CTF（Charge Trap Flash）与 阅读全文

摘要： 注明来自 http://www.ssdfans.com/?p=5589 以MLC为例： 对FGF（Floating Gate Flash）技术的，MLC programming一般分两步走：先program Lower page，然后program Upper Page。 对某个Cell来说，当写入 阅读全文

摘要： 原文的出处：来自 http://www.ssdfans.com/?p=45 1.写操作是在控制极加正电压，使电子通过绝缘层进入浮栅极。擦除操作正好相反，是在衬底加正电压，把电子从浮栅极中吸出来。如下图所示： 一个存储单元电子划分的越多，那么在写入的时候，控制进入浮栅极的电子的个数就要越精细，所以写耗 阅读全文

摘要： DLL中导出函数的声明有两种方式：一种为在函数声明中加上__declspec(dllexport)，这里不再举例说明；另外一种方式是采用模块定义(.def) 文件声明。 规则是：1.首先创建 一个DLL程序，.cpp中。 2.然后创建一个.def的文件，在里面加上。 说明： .def文件的规则为： 阅读全文

摘要： #pragma once是一个比较常用的C/C++杂注，只要在头文件的最开始加入这条杂注，就能够保证头文件只被编译一次。 #ifndef的方式依赖于宏名字不能冲突，这不光可以保证同一个文件不会被包含多次，也能保证内容完全相同的两个文件不会被不小心同时包含。当然，缺点就是如果不同头文件的宏名不小心“撞 阅读全文

摘要： 1.在widnows编程中int APIENTRY WinMain中APIENTRY是什么意思，其什么作用？ winapi表示此函数是普通的winapi函数调用方式，apientry则表明此函数是应用程序的入口点，相当于c的main()函数。 2.每个DLL都可以有一个入口点函数DllMain,系统 阅读全文

摘要： 海力士、东芝等ED3 NAND Flash ED3的TLC编程规则相对于OBP来讲会简单许多，因为ED3的编程规则非常有规律，很容易掌握，ED3的每个WL页数量是固定的。 ED3在对行地址的定义上与OBP有着很大的区别：在TLC模式下，ED3的行地址代表的是WL地址。操作的页是WL中的哪个页，是通过 阅读全文

摘要： NAND 闪存：目前闪存制造厂主要分为三星与东芝、海力士联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营 IM Flash Technologies（IMFT）：由Intel和Micron合资兴办的半导体制造公司，主要生产NAND型闪存芯片产品。 ONFI（open NAND FLASH 阅读全文

摘要： 堆栈这种数据最鲜明的特点是：后进先出。 用动态数组实现堆栈： 链式堆栈： 队列：是一种先进先出的结构。需要两个指针：一个指向队头，一个指向队尾。 树： 属性：每个节点的值比它的左子树的所有节点的值都要大，但比它的右子树的所有节点的值都要小。 树的遍历：前序、中序、后序、层次遍历。 前序遍历：检查节点 阅读全文

摘要： 传递命令行参数 C程序的main函数具有两个形参。第一个通常称为argc，代表命令行参数的数目。 第二个通常称为argv，它指向一组参数值。由于参数的数目并没有内在的限制，所以argv指向这组参数值（从本质上说是一个数组）的第一个元素。 字符串常量：当一个字符串常量出现于表达式中时，它的值是个指针常 阅读全文