2017 年 8月 15 日随笔档案 - 白宫飘红旗

2017年8月15日

摘要：注明来自 http://www.ssdfans.com/?p=5589 以MLC为例：对FGF（Floating Gate Flash）技术的，MLC programming一般分两步走：先program Lower page，然后program Upper Page。对某个Cell来说，当写入阅读全文

posted @ 2017-08-15 18:26 白宫飘红旗阅读(1362) 评论(0) 推荐(0) 编辑

读《闪存基础》总结

摘要：原文的出处：来自 http://www.ssdfans.com/?p=45 1.写操作是在控制极加正电压，使电子通过绝缘层进入浮栅极。擦除操作正好相反，是在衬底加正电压，把电子从浮栅极中吸出来。如下图所示：一个存储单元电子划分的越多，那么在写入的时候，控制进入浮栅极的电子的个数就要越精细，所以写耗阅读全文

posted @ 2017-08-15 15:02 白宫飘红旗阅读(1975) 评论(0) 推荐(0) 编辑