******************************微电子专业术语*********************************
CSP 封装：CSP（Chip Scale Package）芯片级封装。是最新一代的内存芯片封装技术。
CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1：1.14，已经相当接近1：1的理想情况，
绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。
与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。
光刻：IC生产的主要工艺手段，指用光技术在晶圆上刻蚀电路。
DSP芯片：也称数字信号处理器，是一种具有特殊结构的微处理器。
DSP芯片的内部采用程序和数据分开的哈佛结构，具有专门的硬件乘法器，广泛采用流水线操作，
提供特殊的DSP指令，可以用来快速的实现各种数字信号处理算法。
SOC：System On a Chip，片上系统。
CPLD：Complex Programmable Logic Device,负责可编程逻辑器件。
FPGA：FPGA(Field Programmable Gate Array ) 现场可编程门阵列，它是PAL、GAL、EPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。
它是作为专用集成电路（ASIC）领域中的一种半定制电路而出现的，既解决了定制电路的不足，又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。
PGA采用了逻辑单元阵列LCA(Logic Cell Array )这样一个新概念，内部包括可配置逻辑模块CLB( Configurable Logiic Block)、
输入输出模块IOB(Input Output Block)和内部连线（Interconnect）三个部分。
MARM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，
以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
IC封装：指把硅片上的电路管脚用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接。
晶圆：多指单晶硅圆片，由普通硅沙拉制提炼而成，是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，
近来发展出12英寸甚至更大的规格。晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就多，可降低成本，但要求材料技术和生产技术更高。
IC前工序:IC制造工程中，晶圆光刻的工艺（即所谓流片），被称为前工序，这是IC制造的最要害技术。
IC后工序:晶圆流片后，其切割、封装等工序被称为后工序。
IC工艺线宽：是指IC生产工艺可达到的最小导线宽度，是IC工艺先进水平的主要指标。线宽越小，集成度就高，
在同一面积上就集成更多电路单元。4微米、1微米、0.6微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、0.11微米等，
芯片：我们通常所说的"芯片"是指集成电路，它是微电子技术的主要产品。微电子技术涉及的行业很多，
包括化工、光电技术、半导体材料、精密设备制造、软件等，其中又以集成电路技术为核心，包括集成电路的设计、制造。
IC分类：IC按功能可分为：数字IC、模拟IC、微波IC及其他IC，其中，数字IC是近年来应用最广、
发展最快的IC品种。数字IC就是传递、加工、处理数字信号的IC，可分为通用数字IC和专用数字IC。
通用IC：是指那些用户多、使用领域广泛、标准型的电路，如存储器（DRAM）、微处理器（MPU）及微控制器（MCU）等，反映了数字IC的现状和水平。
专用IC（ASIC）：是指为特定的用户、某种专门或特别的用途而设计的电路。
TI:德州仪器，是一家全球化半导体设计与制造企业
EDA:电子设计自动化(Electronic Design Automation)是近几年来发展起来的软件、硬件和微电子技术交叉形成的现代电子设计技术。
ESR:equivalent series resistance的缩写，意为等效串联电阻。?在实际电路中，对电容ESR的重视主要是针对电解电容，
这是因为它对电路能否正常工作影响较大。
1、什么是ESR？
任何一个电容都会存在ESR，在电容电极之间始终都存在着一个电气性的电阻，如金属引脚电阻、电极极板电阻、以及它们之间的连接电阻等等。?
铝电解电容还包括存在于湿的电解质溶液的电阻、以及含有高电平“水”的铝氧化物（水合氧化铝）中的电阻等。
EMC（Electromagnetic Compatibility）：电磁兼容性的缩写。 是一个设备或装置与其它装置同时操作时，
不会因为电磁干扰问题而影响正常工作之能力。
EMC(电磁兼容性)也包括 EMI（电磁干扰）和 EMS（电磁耐受性）
