ARM启动流程

Posted on 2015-07-03 11:46  Bumble_Bee  阅读(797)  评论(0编辑  收藏  举报

  S3C2440支持两种启动方式:norflash启动和nandflash启动。

  一、norflash启动

  NOR Flash 的特点是芯片内执行(XIP ,eXecute In Place),这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。ARM处理器上电之后会从零地址去取指令,所以代码一定要放在norflash的最前端,处理器才能继续往下执行。

  二、nandflash启动

  NAND FLASH不像NOR FLASH那样可以直接访问,而是通过一些相关的寄存器进行访问。所以一开始处理器会将NAND FLASH中前4KB的代码拷贝至零地址处的stepping stone(垫脚石)中。这4KB的代码要完成两个任务:(1)对相关的硬件进行初始化 (2)将NAND FLASH中剩余的代码搬移到内存中,保证可以正常的从NAND FLASH启动。

 

  S3C6410支持 种启动方式:NOR FLASH启动、ONENAND启动、MODEM启动、IROM启动。其中SD卡启动和NANDFLASH启动划分在IROM启动中。

  从NORFLASH启动不再多说。这里主要说一下从NANDFLASH启动。首先他属于IROM启动,看下图。

  我们知道处理器会从零地址去取指令,6410的地址布局如下所示

  6410的零地址是一个镜像区域。当从IROM进行启动时,处理器会将IROM中的代码拷贝至这个镜像区域中,这里提到的代码就是bootloader0,他是处理器的厂家为我们固化好的这部分代码会先进行一些硬件的初始化,然后将NANDFLASH中前8KB的代码搬移到stepping stone中,称作BL1。接着,stepping stone中的代码会负责把剩余的bootloader(称作BL2)加载到内存中继续进行后面的工作。

  最后是S5PV210的启动流程,前期都和6410没什么区别,只是210的stepping stone空间更大,为96KB。所以当BL2<80KB时,BL1会把BL2加载到stepping stone中运行,当BL2>80KB时,BL1将BL2加载到内存中运行。

  

  如有问题或疑问欢迎指出。转载请注明出处!