摘要：
在制造半导体器件时,为什么先将导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗制成本征半导体,使之导电性极差,然后再用扩散工艺在本征半导体中掺入杂质形成N型半导体或P型半导体改善其导电？导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗导电性不可控，而本征半导体的导电性可控半导体器件温度稳定性差，是多数载流子影响大，还是少数... 阅读全文
摘要：
电场力作用下载流子的运动即漂移运动pn结中内电场会抑制载流子扩散运动，而加强漂移运动内电场方向是由n区指向p区，因此p区空穴以及n区电子均会受到与扩散运动方向相反的电场力，由此扩散运动被抑制，而p区少子电子和n区少子空穴会因为电场力而运动，即漂移运动，空穴会由n区向p区移动，电子由p区向n区移动漂移... 阅读全文
摘要：
大二学的模电，现在又拿起来，感叹自己学的实在太差，所以结合一些资料开始总结笔记pn结和空间电荷区还是有区别的。这里说点题外话浓度差导致扩散运动，而空间电荷区内电场会导致漂移运动当参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同时，达到动态平衡，此时形成pn结也就是说 空间电荷区的形成不需要动态平衡的条件以上为... 阅读全文