摘要：
结型场效应管：iD=IDSS（1-uGS/UGS（off））^2 (UGS(off)<uGS<0) 其中IDSS是uGS=0情况下产生预夹断时的ID，称作饱和漏极电流为保证结型场效应管栅-源间的耗尽层加反向电压，N型管uGS≤0V，P型反之N沟道增强型场效应管：iD=IDO（uGS/uGS（th）... 阅读全文
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因为场效应管的漏极和源极结构相同，所以用UGS和UGS（off）比较和 用UGD 和UGS（off）比较效果相同，在漏极同样会产生夹断 阅读全文
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耗尽层能否导电？误解：耗尽层中既不存在多数载流子，也不存在少数载流子，因此它像绝缘体一样是不导电的。正解：耗尽层中因为存在较强的内建电场，则载流子都被驱赶出去了，其中剩余的空间电荷即都是不能移动的电离杂质中心，从而耗尽层本身的确像绝缘体一样，并不导电，并且也呈现出相同的电容效应和绝缘击穿效应等。但是... 阅读全文
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两个点电荷带电2q和q，相距l，第三个点电荷放在何处所受的合力为零？网上下载的答案上说 若Q与2q还有q同号，则三者互斥不可能达到平衡，于是Q必须与2q还有q异号我认为符号问题是不影响结果的，实际上我认为这个答案对题目的理解可能有误因为2q和q是同号的，所以如果Q在2q和q的连线之间，受到的两个库伦... 阅读全文
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由于要学习电磁学这门课程，因此也会记录一些电磁学的思考题1.给你两个金属球，装在可以搬动的绝缘支架上，试指出使这两个球带等量异号电荷的方法。你可以用丝绸摩擦过的玻璃棒，但不使它和两球接触。你所使用的方法是否要求大小相等？首先让两个小球接地以使它们不带电，然后将它们靠在一起，这就类似静电感应实验，将玻... 阅读全文
摘要：
首先若只有信号源，那么信号源提供的电压必须保证发射结正偏，也就是需要ui＞uon那么如果ui幅值太小，三极管的发射结就无法正偏，即使幅值能够达到很大，也只有在幅值大于uon的时候三极管有放大作用，所以这里必须有一个直流源，保证三极管能工作在放大状态同时防止失真 阅读全文
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低频小信号ui的负极是与Vbb的正极相连，要是共地，应该是两者的负极同时接着地，这是我的理解 阅读全文
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凡栅-源电压uGS为零时漏极电流也为零的管子均属于增强型管，凡栅-源电压uGS为零时漏极电流不为零的管子均属于耗尽管 阅读全文
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如图所示 ，VBB提供发射结正偏电压，VCC提供集电结反偏电压VCC可以看做是 UCE串联电阻Rb用来限制电流防止烧坏管子我的理解是 发射结部分相当于二极管，二极管在导通后，压降可以看为0，如果直接串联电源，可能会烧坏电源，所以需要电阻来限制电流Rc是什么情况呢？我们知道流过Rc的电流就是Ic，并且... 阅读全文
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一个解释是：掺杂高的P区，较窄的区域就贡献足够的空穴，跟N区贡献出的电子相抵消另一个解释是：P型半导体中所谓的空穴，其实是电中性的；N型半导体中的自由电子是从施主杂质那里跑出来的。P型和N型紧密结合在一起形成PN结时，每有一个自由电子进入P型区域和空穴结合，就多了一个真正的负离子（那个结合了自由电子... 阅读全文