摘要:
简介:测量温度范围为-55~+125℃ ,精度为±0.5℃工作电压: 3—5.5 V“身份码”:ROM 中的 64 位序列号是出厂前被光记好的,ROM 作用是使每一个 DS18B20 都各不相同,这样就可实现一根总线上挂接多个单总线(需上拉可增加驱动能力):低位在前负压特性:电源极性接反时,芯片不会因发热而烧毁,但不能正常工作寄生电源ALIEN库初始化 u8 DS18B20_Init(void):GPIO(G11推挽)复位信号检测存在(0:存在)获取温度 short DS18B20_Get_Temp(void)〔返回值:-550~1250]速度:可编程的分辨率为9~12位,对应的可分 阅读全文
posted @ 2014-03-20 00:22
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摘要:
实现目标: 使用ADC1的16和17通道(对应内部温度传感器和内部VREFINT),DMA通道1(Only)管理,存储到内存并串口输出。Ready时钟:ADC:RCC_APB2Periph_ADC1,RCC_ADCCLKConfig(RCC_PCLK2_Div6);DMA:RCC_AHBPeriph_DMA1NVIC:DMA1_Channel1_IRQn //传输完成中断DMA_IT_TCDMA:起点/终点地址数据数量/单位传输方向地址是否自动加单次/连续模式是否M2M中断:DMA_IT_TCADC:ADC间合作方式:ADC_Mode = ADC_Mode_Independent单次/连续是. 阅读全文
posted @ 2014-03-20 00:21
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摘要:
重映射:(改变默认的复用功能引脚绑定,重映射时,原引脚和复用功能毫不相干)方法:添加RCC_APB2Periph_AFIO时钟使能,所有重映射类型都要靠它在复用功能使能前(如USART_Cmd(USART1, ENABLE); 语句前)调用GPIO_PinRemapConfig(GPIO_Remap_USART1,ENABLE); 阅读全文
posted @ 2014-03-20 00:21
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BeforeSD卡电压:3.3V分类SD 卡一般支持 2 种操作模式:SD 卡模式(通过 SDIO 通信);SPI 模式; 阅读全文
posted @ 2014-03-20 00:21
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FLASH中:0x08000000--0x08000000+SIZE保存的是用户代码Rule:16位为传输单位读数据:u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)可以在通用地址空间直接寻址:data=*(vu16*)ADDR;[ADDR为32位数据,指向的数据为uv16型]写数据:写之前1:解锁FLASH_KEYR(FLASH_Lock(void);|FLASH_Lock(void);)写之前2:擦除,也就是其值必须是 0XFFFF,否则无法写入。[擦除页或直接擦除ALL] 1页=2k字节写之前3: 确保BSY 位为’0’写半字即16位(FLASH_Status F 阅读全文
posted @ 2014-03-20 00:21
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