摘要：
上文我们已经了解了SDRAM所用到的基本信号线路，下面就看看它们在SDRAM芯片内部是怎么“布置”的，并从这里开始深入了解内存的基本操作与过程，在这一节中我们将接触到有天书之称的时序图，但不要害怕，根据文中的指导慢慢理解，您肯定可以看懂它。首先，我们先认识一下SDRAM的内部结构，然后再开始具体的讲述。128Mbit（32M×4）SDRAM内部结构图（点击放大）芯片初始化可能很多人都想象不到，在SDRAM芯片内部还有一个逻辑控制单元，并且有一个模式寄存器为其提供控制参数。因此，每次开机时SDRAM都要先对这个控制逻辑核心进行初始化。有关预充电和刷新的含义在下文有讲述，关键的阶段就在于 阅读全文
摘要：
一、 SDRAM内存模组与基本结构 我们平时看到的SDRAM都是以模组形式出现，为什么要做成这种形式呢？这首先要接触到两个概念：物理Bank与芯片位宽。 1、 物理Bank 传统内存系统为了保证CPU的正常工作，必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。而CPU在一个传输周期能接受的数据容量就是CPU数据总线的位宽，单位是bit（位）。当时控制内存与CPU之间数据交换的北桥芯片也因此将内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，而这个位宽就称之为物理Bank（Physical Bank，下文简称P-Bank）的位宽。所以，那时的内存必须要组织成P-Bank来与CPU打交道。资格稍老的 阅读全文
摘要：
SDRAM的究竟是怎么寻址的？ SDRAM的内部是一个存储阵列，将数据“填”进去，你可以它想象成一张表格。和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），我们就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个单元格可称为存储单元,那么这个表格（存储阵列）叫什么呢？它就是逻辑Bank（Logical Bank，下文简称L-Bank）。 SDRAM内部L-Bank示意图，这是一个8X8的阵列，B代表L-Bank地址编号，C代表列地址编号，R代表行地址编号。如果寻址命令是B1、R2、C6，就能确定地址是图中红格的位置 目前的内存芯片基本上都是4个 阅读全文
摘要：
时序时序，就是按照一定的时间顺序给出信号就能得到你想要的数据，或者把你要写的数据写进芯片；举个62256读数据的例子：先给地址， 地址保持的最短时间是：trc;再给CS片选；片选滞后地址的最短时间可以算出来； 再给OE（读信号）；同样滞后的最短时间也可以算出来；数据线上本来是高阻态；这时，滞后OE一段时间之后，数据输出，直到数据有效输出并保持一段时间；然后OE变高；然后CS变高；然后改变地址；这时数据仍然保持一段时间有效；然后无效；然后高阻（至于图中的双线就得看具体选择或输入/出的高低电平了）你找一个62256看懂了，其它的芯片也都差不多了 阅读全文