2018年3月11日
MOS管驱动
摘要： 1.栅极用低电平驱动PMOS导通（高电平时不导通）；栅极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC，使栅极控制电平由低变高时，栅极能够更快被拉高，PMOS能够更快更可靠地截止。 2.栅极用高电平驱动NMOS导通（低电平时不导通）；栅极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k 阅读全文
posted @ 2018-03-11 13:04 只因在风中 阅读(607) 评论(0) 推荐(0) 编辑