摘要：
信号完整性分析概论 1.信号完整性（SI）：指在高速产品中由互联线引起的所有问题；研究当互联线与数字信号的电压电流波形相互作用时，其电气特性如何影响产品的性能，SI又叫信号波形失真。 2.电源完整性（PI）：指为有源器件供电的互联线及各相关元件上的噪声；PDN（电源分配网络） 3.电磁兼容（EMC） 阅读全文
摘要：
干接点和湿接点 1.什么是干接点？ 无源开关；具有闭合和断开的两种状态；2个接点之间没有极性，可以互换。 常见的干接点信号有： 1）各种开关如：限位开关、行程开关、脚踏开关、旋转开关、温度开关、液位开关等； 2）各种按键； 3）各种传感器的输出，如：环境动力监控中的传感器：水浸传感器、火灾报警传感器 阅读全文
摘要：
3.1 驱动电源 SiC MOSFET开启电压比Si IGBT低，但只有驱动电压达到18V～20V时才能完全开通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs对比 Cree的产品手册中单管MOSFET手册推荐栅源电压-4/15V；模块给出的都是-5/20V的推荐驱动电压，实际调研过程中模块用的都 阅读全文
摘要：
时间统一系统 在航天活动中，各测控战所获取、记录的测量数据和事件都必须要有严格统一的同一时间标准才能对他们进行分析和处理，才具有使用价值。时间信号还用于控制程序仪器，完成火箭、导弹的点火和使仪器按程序工作。 时间统一系统是为测控系统提供统一标准时间信号和标准频率信号的系统。航天测控设备种类多、数量大 阅读全文
摘要：
中低速航天电子总线概述： 1.MIL-STD-1553B 1)1553B总线全称：飞行器内部时分命令/响应式多路数据总线； 2)国内对应标准：GJB289A-97； 3)传输速率：1Mb/S； 4)传输方式：半双工，BC->RT；字长度20bit，数据有效长度16bit；冗余总线型拓扑结构，双冗余故 阅读全文
摘要：
碳化硅 MOSFET 驱动电路保护 SiC MOSFET 作为第三代宽禁带器件之一，可以在多个应用场合替换 Si MOSFET、IGBT，发挥其高频特性，实现电力设备高功率密度。然而被应用于桥式电路时，由于较高的 di/dt 与 du/dt 容易产生电压电流尖峰、振荡、上下管直通或超过负向安全电压， 阅读全文
摘要：
如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片？（英飞凌官方） 由于SiC产品与传统硅IGBT或者MOSFET参数特性上有所不同，并且其通常工作在高频应用环境中， 为SiC MOSFET选择合适的栅极驱动芯片，需要考虑如下几个方面： 驱动电平与驱动电流的要求 首先，由于SiC MOSFET器件需要工作 阅读全文
摘要：
SIC MOSFET的特性 1、导通电阻随温度变化率较小，高温情况下导通阻抗很低，能在恶劣的环境下很好的工作。 2、随着门极电压的升高，导通电阻越小，表现更接近于压控电阻。 3、开通需要门极电荷较小，总体驱动功率较低，其体二极管Vf较高，但反向恢复性很好，可以降低开通损耗。 4、具有更小的结电容，关 阅读全文
摘要：
（一）初识SiC 科技前沿—第三代半导体技术—碳化硅SiC：技术和市场 数据来源：知乎、英飞凌官网、ST官网 一、硅的瓶颈与宽禁带半导体的兴起 上世纪五十年代以来，以硅（Si）材料为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管引发了集成电路（IC）为核心的微电子领域迅速发展。然而，由于硅材料的带隙较窄、 阅读全文
摘要：
参考英飞凌SBC官网资料：https://www.infineon.com/cms/cn/product/automotive-system-ic/system-basis-chips-sbc/ SBC芯片在汽车电子领域可谓占一席之地了。那么什么是SBC？怎么用？用在哪里？主要特性？ 1.什么是SB 阅读全文