2022年3月1日
第三代电力电子半导体：SiC MOSFET学习笔记（五）驱动电源调研
摘要： 3.1 驱动电源 SiC MOSFET开启电压比Si IGBT低，但只有驱动电压达到18V～20V时才能完全开通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs对比 Cree的产品手册中单管MOSFET手册推荐栅源电压-4/15V；模块给出的都是-5/20V的推荐驱动电压，实际调研过程中模块用的都 阅读全文
posted @ 2022-03-01 19:12 小幽余生不加糖 阅读(19) 评论(0) 推荐(0) 编辑