03 2022 档案
摘要:1.确定失效问题 为了提高失效分析效率,最好在提出分析申请前,尽可能的把问题定位到具体的网络。故障定位过程中尽可能避免破坏故障现象,保持原始形貌,一般不允许对故障部位重新焊接,慎重使用加热、加压、加电冲击等手段,否则会影响后续的失效分析。 2.失效样品背景信息调查 这部分工作是失效分析的一个重点部分
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摘要:电感的物理基础 二 为了清楚起见,对于自感或互感,需要指明其电流源头。然后还要说明所指的是部分电路的局部电感,还是整个电路的回路电感。如果考虑的是某一段电路上的电压噪声,则由于该电压噪声取决于所有的磁力线匝数及其变化,所以需要并清楚在该段电路上的总电感。最后,如果是多个电感形成的组合(如封装中多条引
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摘要:做表格太费劲了,截个图吧,有需要的可以码下来: PCB Check list:
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摘要:做表格太麻烦了,截个图吧,后续用得到可以码下来: 原理图check list:
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摘要:1.IR2130与MOS管总体驱动框图 2.IR2130芯片简单介绍 是一款很老的片子。 IR公司推出的IR21xx系列集成芯片是MOS、IGBT功率器件专用栅极驱动芯片,通过自举电路工作原理,使其既能驱动桥式电路中低压侧的功率器件,又能驱动高压侧的功率元件,因而在电机控制、伺服驱动、UPS电源等方
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摘要:电感的物理基础 1.电感的定义:通常是指由导线绕成的线圈或螺线杆的电感,其中有磁力线通过。或者说对表面磁场强度的数值积分。 2.电感三个基本法则: (1)电流周围会形成闭合磁力线匝数; (2)电感是导体电流1A时周围的磁力线匝数; (3)周围磁力线匝数改变时,导体两边产生感应电压。 3.我们以韦伯W
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摘要:电容的物理基础 1.导体的电容量就是单个导体上存储的电荷量与导体之间电压的比值。 2.电容是对两个导体在给定电压下存储电荷效率的变量。 3.如果两个导体之间没有直流路径,在他们之间就有电容,其阻抗会随频率的升高而降低,在高频时阻抗会非常低。 4.电容的微妙之处在于即使两个导体之间没有直接连接线(可能
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摘要:今天梳理一下IGBT现象级的失效形式。 失效模式 根据失效的部位不同,可将IGBT失效分为芯片失效和封装失效两类。引发IGBT芯片失效的原因有很多,如电源或负载波动、驱动或控制电路故障、散热装置故障、线路短路等,但最终的失效都可归结为电击穿和热击穿两种,其中电击穿失效的本质也是温度过高的热击穿失效。
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摘要:1.所有互连线的电气特性都完全可以应用麦克斯韦方程来描述、这四个方程描述了电场和磁场是如何与边界条件(即一些几何结构中的导体和介质)相互作用的。 所有互联和无源元件的电气描述都基于3种理想的集总电路元件(电阻器、电容器和电感器)和一个分布元件(传输线)。 2.优化系统物理设计的关键是:能够根据物理设
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摘要:阻抗与电气模型 1.用阻抗描述信号完整性 (1)信号是指变化的电压或变化的电流 。所有信号完整性问题都是由模拟信号(变化的电压或者电流)与互联电气特性之间的相互作用引起的,而影响信号的关键电气特性是互联的阻抗。 (2)阻抗被定义为电压和电流之比: 知道了互联的阻抗和传播时延,也就知道了它的几乎所有的
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摘要:一.超级电容 超级电容器通常应用于短期能量存储、再生制动、静止的随机存储器备份之中。 超级电容,又名电化学电容,双电层电容器、黄金电容、法拉电容,是从上世纪七、八十年代发展起来的通过极化电解质来储能的一种电化学元件。 它不同于传统的化学电源,是一种介于传统电容器与电池之间、具有特殊性能的电源,主要依
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摘要:信号完整性问题的11个基本原则 提高高速产品设计的关键是:充分利用分析工具实现准确的性能预估,使用测量手段验证设计过程,降低风险并提高所采用设计工具的可信度。 将问题的实质与表面现象剥离开的唯一可行途径是:采用经验法则,解析近似,数值仿真工具或测量工具获得数据,这是工程实践的本质要素。 任何一段互联
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摘要:时域与频域 1.时域:是真实的世界,是唯一存在的域。 其中: Fclock是时钟频率,单位为GHz. Tclock是时钟周期,单位为ns. 根据逻辑系列可知,下降时间通常比上升时间短一些(由典型CMOS输出驱动器的设计造成的) 上升边:信号从低电平跳变到高电平所经历的时间(10%~90%或20%
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摘要:信号完整性分析概论 1.信号完整性(SI):指在高速产品中由互联线引起的所有问题;研究当互联线与数字信号的电压电流波形相互作用时,其电气特性如何影响产品的性能,SI又叫信号波形失真。 2.电源完整性(PI):指为有源器件供电的互联线及各相关元件上的噪声;PDN(电源分配网络) 3.电磁兼容(EMC)
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摘要:干接点和湿接点 1.什么是干接点? 无源开关;具有闭合和断开的两种状态;2个接点之间没有极性,可以互换。 常见的干接点信号有: 1)各种开关如:限位开关、行程开关、脚踏开关、旋转开关、温度开关、液位开关等; 2)各种按键; 3)各种传感器的输出,如:环境动力监控中的传感器:水浸传感器、火灾报警传感器
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摘要:3.1 驱动电源 SiC MOSFET开启电压比Si IGBT低,但只有驱动电压达到18V~20V时才能完全开通; Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs对比 Cree的产品手册中单管MOSFET手册推荐栅源电压-4/15V;模块给出的都是-5/20V的推荐驱动电压,实际调研过程中模块用的都
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