2021年12月16日
第三代电力电子半导体：SiC MOSFET学习笔记（四）SiC MOSFET传统驱动电路保护
摘要： 碳化硅 MOSFET 驱动电路保护 SiC MOSFET 作为第三代宽禁带器件之一，可以在多个应用场合替换 Si MOSFET、IGBT，发挥其高频特性，实现电力设备高功率密度。然而被应用于桥式电路时，由于较高的 di/dt 与 du/dt 容易产生电压电流尖峰、振荡、上下管直通或超过负向安全电压， 阅读全文
posted @ 2021-12-16 19:55 小幽余生不加糖 阅读(26) 评论(0) 推荐(0) 编辑