随笔分类 -  汽车电子

摘要:功率MOSFET体二极管的连续载流能力 1.概述2.MOSFET 漏源电压限制3.体二极管电流能力4.计算案例5.降额 tips:资料主要来自网络,仅供学习使用。 在电力电子领域或者在大功率应用场境下,我们经常会用到开关管功率MOSFET以及其内部的二极管。 那么功率MOSFET这个体二极管的通流能 阅读全文
posted @ 2024-02-23 14:17 小幽余生不加糖 阅读(208) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要:SiC电机控制器(逆变器)发展概况及技术方向 1.概述2.电动汽车动力系统设计趋势3.栅极驱动器和驱动电源配置4.结论 tips:资料来自网上搜集,仅供学习使用。 1.概述 2022年到2023年,第三代半导体碳化硅被推上了新的热潮。我们都知道只要是半导体行业,必定会引起世界瞩目。今天我们以汽车行业 阅读全文
posted @ 2024-01-06 14:48 小幽余生不加糖 阅读(121) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要:栅极驱动芯片三种隔离技术 1.栅极驱动器概述2.隔离栅极驱动芯片2.1隔离驱动器重要指标 3.三种常见隔离技术3.1光隔离3.2变压器隔离/磁隔3.3电容隔离 4.三种隔离器性能对比 1.栅极驱动器概述 栅极驱动器,在任何功率水平为任何应用高效可靠地驱动任何功率开关。 比如MOS、IGBT、GaNF 阅读全文
posted @ 2024-01-06 14:14 小幽余生不加糖 阅读(333) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要:(三)MOS管振荡抑制方法(一) 1.概述 2.MOS管开关振荡产生原理 3.输入高频电容Csm抑制振荡 前面我也提到了,Buck电路中由于走线电感和MOS管寄生参数会导致开关节点振荡,这次我把我找到的资料和实际应用的方法分享给大家,顺便记录一下,确实有用。 1.概述 在同步 Buck 变换器中,M 阅读全文
posted @ 2023-12-16 17:01 小幽余生不加糖 阅读(270) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要:使用功率MOSFET常见的一些问题(三) 1.体二极管2.封装和PCB布局注意事项3.MOS并联 1.体二极管 体二极管是 MOSFET 结构中的固有部分,由 p-body 层和 n-epi 层之间的 p-n 结形成,如图所示。功率MOSFET 是三端器件,其本体和源极在内部连接。这可以通过查看 N 阅读全文
posted @ 2023-11-30 13:43 小幽余生不加糖 阅读(82) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要:使用功率MOSFET常见的一些问题(二) 1.栅源电压瞬变2.安全工作区3.感应导通和击穿3.1 如何避免感应导通 1.栅源电压瞬变 过大的电压瞬态会穿透薄栅源氧化层,造成永久性损坏。不幸的是,这种瞬态在电源开关电路中产生,并 且可以耦合到敏感的 MOSFET 栅极输入端。测试时应当仔细查看栅极驱动 阅读全文
posted @ 2023-11-30 11:22 小幽余生不加糖 阅读(55) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要:使用功率MOSFET常见的一些问题(一) 1.MOS管简介2.反向阻断特性2.1 雪崩失效机制2.2 雪崩测试2.3 如何避免雪崩事件 3.MOS管额定电流和散热 刚开始用功率MOS管的时候经常会遇到炸管子的事情,过来人都说不炸几个管子就永远不会用MOS管,我想学习学习,这到底是怎么回事,是MOS管 阅读全文
posted @ 2023-11-29 20:18 小幽余生不加糖 阅读(112) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要:不可控整流电路二极管参数计算校核 1.不可控整流原理1.1 不控整流原理1.2 特点 2.整流二极管参数校核计算2.1 整流桥损耗、效率计算2.2 I2t计算校核2.3 频率校核 由于汽车和航空航天动力系统向多电和全电的过渡阶段,动力系统由传统的发动机逐渐被电机和电机控制器替代。 混电作为一个过渡阶 阅读全文
posted @ 2023-07-22 13:57 小幽余生不加糖 阅读(522) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要:ST典型碳化硅MOSFET驱动应用方案 1.栅极驱动器规格和功能实现 参考资料:ST官网应用手册《AN4671》 作者:Xiou 1.栅极驱动器规格和功能实现 以下是对栅极驱动要求的简短列表: dv / dt 的瞬变抗扰度:在整个温度范围内 ±50 V/ns。 碳化硅 MOSFET 是针对快速切换和 阅读全文
posted @ 2023-05-19 14:54 小幽余生不加糖 阅读(28) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要:如何调整碳化硅 MOSFET 驱动来减少功率损耗 1.如何减少传导损耗?2.如何减少开关损耗?2.1 关断损耗 (Eoff) 取决于 Rg 和 Vgs-off2.2 开通损耗 (Eon) vs. Rg2.3 开通损耗 Eon 和反向恢复损耗 Err 的米勒效应2.4 对驱动电流的要求 作者:Xiou 阅读全文
posted @ 2023-05-19 14:48 小幽余生不加糖 阅读(154) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要:功率器件的仿真评估 1.功率器件仿真评估概述2.IGBT温升模型整理3.Matlab仿真计算4.仿真评估报告 1.功率器件仿真评估概述 功率器件的仿真评估共五个步骤: a.根据IGBT数据手册整理中热阻参数、开关损耗参数温升模型; b.带入到Matlab中仿真堵转、中速运行、高速运行三种工况下IGB 阅读全文
posted @ 2023-04-26 17:44 小幽余生不加糖 阅读(57) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要:如何正确计算并最大限度减小IGBT的死区时间 1. IGBT 桥臂直通的原因2.死区时间对逆变器工作的影响3.计算死去时间的基础4. 开关和延迟时间的定义5.门级驱动电阻/驱动器输出阻抗的影响6.影响延迟时间的其他因素6.1 开通延迟时间6.2 关断延迟时间 7.死区时间计算值校验8.如何减小死区时 阅读全文
posted @ 2023-03-24 18:00 小幽余生不加糖 阅读(404) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要:利用单级栅电压驱动IGBT 1. 0V关闭1.1 通过米勒电容开启1.2 通过杂散电感开启1.3 带共辅助射级的模块中的寄生开启 2. 寄生开关的证明3.建议措施3.1 改变栅极电阻3.2 利用单独的栅极电阻实现非要害开启和关闭3.3 增加栅极射电容来分流米勒电流3.4 利用晶体管分流米勒电流(有源 阅读全文
posted @ 2023-03-24 15:59 小幽余生不加糖 阅读(47) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要:SiC MOSFET驱动电压的分析 作者:Xiou tips:资料来自富昌电子,及各个模块数据手册。 1.常见的Vgs与Vgs(th),以及对SiC MOSFET应用的影响 驱动电压Vgs和栅极电压阈值Vgs(th)关系到SiC MOSFET在应用过程中的可靠性,功率损耗(导通电阻),以及驱动电路的 阅读全文
posted @ 2023-03-01 18:18 小幽余生不加糖 阅读(300) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要:IGBT窄脉冲现象 tips:资料来自知乎 英飞凌《IGBT窄脉冲现象解读》 IGBT窄脉冲现象 1.什么是窄脉冲现象? 2.窄脉冲现象的原因 3.双脉冲测试IGBT窄脉冲开通 4.FWD窄脉冲开通 1.什么是窄脉冲现象? IGBT作为一种功率开关,从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间,就像生活 阅读全文
posted @ 2023-02-27 15:44 小幽余生不加糖 阅读(127) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要:新能源汽车800V电机驱动技术分析 资料来自:驱动视界、网络、百度百科、搜狐 1.电驱系统发展趋势 2.800V电驱系统分析 3.面临的问题 1.电驱系统发展趋势 《节能与新能源汽车技术路线图2.0》 美国能源部旗下有一个叫做U.S. DRIVE的组织,专门负责汽车技术的规划,它的全称是U.S. D 阅读全文
posted @ 2023-02-05 14:12 小幽余生不加糖 阅读(119) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要:电驱系统电磁兼容基础知识及测试方法 学习参考:驱动视界公众号、百度百科、《电动汽车电机驱动系统EMC研究综述》 1.背景 2.电磁干扰三要素 3.电波暗室与屏蔽室的原理 4.测试方法 5.如何看测试数据 6.工作中需要注意的EMC的几点问题 7.案例 1.背景 汽车工业发展经验表明,汽车电子系统出现 阅读全文
posted @ 2023-01-28 15:21 小幽余生不加糖 阅读(110) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要:功率二极管的损耗分析和选型原则 tip:参考网上资料,学习为主 作者:Xiou 1.二极管的分类 1.1按照频率 最基本的分类方法。二极管根据其特性分为整流二极管、开关二极管、肖特基势垒二极管、齐纳二极管、用于高频的高频二极管。另外,作为保护元件一般使用齐纳二极管,但随着周边电路的精密化、应用微细化 阅读全文
posted @ 2023-01-06 21:01 小幽余生不加糖 阅读(227) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要:变压器耦合栅极驱动 1.单端变压器耦合栅极驱动电路 2.双端变压器耦合栅极驱动 在高电压栅极驱动 IC 出现以前,使用栅极驱动变压器是唯一一种在离线或类似高电压电路中驱动高侧开关的可行解决方案。 现在,两种解决方案同时存在并且各有利弊,可用于不同的 应用非常重要。集成高侧驱动器非常方便,使用的电路板 阅读全文
posted @ 2022-12-11 15:57 小幽余生不加糖 阅读(164) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要:交流耦合栅极驱动电路 1.计算耦合电容 2.耦合电容器的启动瞬变 3.总结 栅极驱动路径中的交流耦合可为栅极驱动信号提供简单的电平位移。交流耦合的主要作用是修改主MOSFET 的开通和关断栅极电压,而高侧栅极驱动则不同,它最需要关注的是缩小较大的电势差。在如 图31 所示的接地参考示例中,栅极驱动在 阅读全文
posted @ 2022-12-10 20:58 小幽余生不加糖 阅读(87) 评论(0) 推荐(0) 编辑

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