摘要：
R5可以舍去，只是为了提高PNOS管的G极的电压。R1的电阻可以大一些，选用10k，也可以不接。不过这个电路有人说响应速度不够快，有较长的延迟，需要接反馈电阻。我也不知道要如何改进。 阅读全文
摘要：
参考文章：https://wenku.baidu.com/view/74e31c2e0722192e4536f6fb.html 电路中一般讲电压高的一端放在上方。 故NPN管C（集电极）极放在上方。 PNP管E（发射极）极放在上方。 注意：VB与VE之间有一个二极管的压降。 NPN管： 一般E极接地 阅读全文
摘要：
文章来源：https://wenku.baidu.com/view/c118c3fb360cba1aa811da9d.html S:源极 D;漏极 G:栅极 B:衬底 一般出厂后的mosfet芯片它的S极和B极是连在一起的，导致了D极和S极必须要区分开。 NMOS: 一般S极接地或者输出，D极作为输 阅读全文