摘要: ftp://ftp.ni.com/evaluation/labview/ekit/other/downloader/ 阅读全文
posted @ 2018-02-27 13:45 _隔壁_老王 阅读(5218) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: https://wenku.baidu.com/view/0c0b0aa1f524ccbff121841f.html 阅读全文
posted @ 2017-12-26 10:36 _隔壁_老王 阅读(206) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: https://wenku.baidu.com/view/1997648c9ec3d5bbfd0a74d8.html 阅读全文
posted @ 2017-12-19 20:02 _隔壁_老王 阅读(359) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: https://wenku.baidu.com/view/2e6033f00912a216147929d7.html 阅读全文
posted @ 2017-12-14 11:18 _隔壁_老王 阅读(536) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: http://pan.baidu.com/s/1gfOpyZx msee 阅读全文
posted @ 2017-09-25 23:42 _隔壁_老王 阅读(1320) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: R5可以舍去,只是为了提高PNOS管的G极的电压。R1的电阻可以大一些,选用10k,也可以不接。不过这个电路有人说响应速度不够快,有较长的延迟,需要接反馈电阻。我也不知道要如何改进。 阅读全文
posted @ 2017-09-21 23:39 _隔壁_老王 阅读(238) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 参考文章:https://wenku.baidu.com/view/74e31c2e0722192e4536f6fb.html 电路中一般讲电压高的一端放在上方。 故NPN管C(集电极)极放在上方。 PNP管E(发射极)极放在上方。 注意:VB与VE之间有一个二极管的压降。 NPN管: 一般E极接地 阅读全文
posted @ 2017-09-21 22:43 _隔壁_老王 阅读(1172) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 文章来源:https://wenku.baidu.com/view/c118c3fb360cba1aa811da9d.html S:源极 D;漏极 G:栅极 B:衬底 一般出厂后的mosfet芯片它的S极和B极是连在一起的,导致了D极和S极必须要区分开。 NMOS: 一般S极接地或者输出,D极作为输 阅读全文
posted @ 2017-09-21 00:18 _隔壁_老王 阅读(1065) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 声明:本文为转载的文章;并非由本人创作;发博文只是为了整理、记录。 推荐的比较完全,比较清晰的文章(含图):http://blog.csdn.net/sunny04/article/details/40627311 转载时请注明出处和作者联系方式:http://blog.csdn.net/absur 阅读全文
posted @ 2017-08-09 15:09 _隔壁_老王 阅读(8032) 评论(0) 推荐(0) 编辑